[发明专利]一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法有效
| 申请号： | 201710633387.8 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107393835B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 史振坤 | 申请（专利权）人： | 阳信金鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/07;H01L23/29 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 高小荷 |
| 地址： | 251800 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅胶 gpp 芯片 灌封桥式 整流器 制造 方法 | ||
1.一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法，其特征在于：步骤包括:
(1)将若干个GPP芯片放入分向吸盘中，所述分向吸盘包括吸盘本体，在吸盘本体上间隔设有若干排吸盘孔，所述吸盘孔为大吸盘孔和小吸盘孔间隔设置，大吸盘孔与GPP芯片的N极相配合，小吸盘孔与GPP芯片的P极相配合，晃动分向吸盘后，GPP芯片落入吸盘孔内，通过向分向吸盘孔施加负压使得GPP芯片吸附在分向吸盘上；
(2)在焊接治具上间隔布设若干导线，每个导线的位置与吸附在分向吸盘上的在斜45°上相邻的两GPP芯片位置相对；
(3)将步骤(1)吸有GPP芯片的分向吸盘覆盖在焊接治具上，除去施加在分向吸盘上的负压，分向吸盘上的GPP芯片掉落在焊接治具上，在斜45°上相邻的两GPP芯片压在相应的导线上，在GPP芯片和导线之间设有焊片；
(4)在步骤(3)布设好GPP芯片的焊接治具上，沿斜135°间隔布设若干导线，每个导线连接相连两GPP芯片，在导线和芯片之间设有焊片，使相连四个GPP芯片组成一个整流桥；
(5)将步骤(4)的布设有若干个整流桥的焊接治具放入烧结炉中进行高温烧结，每个整流桥的四个GPP芯片和导线之间完成焊接；
(6)将经过步骤(5)完成焊接的整流桥从焊接治具上取下，对每个整流桥的外侧涂覆聚烷基氢有机硅胶；
(7)将经过步骤(6)的涂覆硅胶的整流桥进行固化，温度140-150℃，时间1.8-2小时；
(8)将经过步骤(7)的整流桥进行灌封；
(9)将经过步骤(8)的整流桥进行分段式高温固化，第一阶段温度80-85℃，固化时间1.8-2小时，第二阶段温度120-125℃，固化时间3-3.5小时，第三阶段温度160-165℃，固化时间3-3.5小时；
(10)将经过步骤(9)的整流桥进行电镀；
(11)将经过步骤(10)的整流桥进行包装外壳，得到成品的整流器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
