[发明专利]一种基于PL检测的品质分档方法及装置在审
申请号: | 201710633136.X | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107481950A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 刘国;李琰琪 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 pl 检测 品质 分档 方法 装置 | ||
技术领域
本发明实施例涉及数据处理技术领域,尤其涉及一种基于PL检测的品质分档方法及装置。
背景技术
光致发光(Photoluminescence,PL)是一种依赖外界光源进行照射,使物体获得能量,产生激发导致发光的现象。PL能够检测材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、灵敏度高的分析方法,因而被应用于众多领域中。
当前在化石燃料日趋减少的情况下,太阳能已成为可供使用的重要能源之一,它是一种具有丰富资源的可再生能源。通常太阳能可通过光热转换将太阳能转换为热能,通过光电转换将太阳能转化为电能。其中,太阳能的光电转化作为一种新兴的可再生能源,而备受关注。太阳能的光电转换,即利用太阳能进行发电,需要半导体物料(例如硅)制成的固体光伏电池来完成。而高转换效率的太阳能电池片,是提高太阳能利用率的关键。现有技术中通常采用电致发光(Electroluminescense,EL)的原理对太阳能电池进行分析和检测,由此获取转换效率较高的太阳能电池片,以投入后续的实际应用中。
但是,由于高转换效率的太阳能电池片,需要以优良的硅片和良好的制程为前提,而现有技术采用EL的原理只能对成品的太阳能电池片进行分析检测,无法对工艺制程中的过程片及所制备出的硅片进行分析,因而现有技术无法在制备太阳能电池片前分析出品质优良的硅片,以增加制备成本。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种基于PL检测的品质分档方法及装置,能够对工艺制程中的过程片及硅片进行检测,分选出品质优良的产品,以备后续使用。
第一方面,本发明实施例提供了一种基于PL检测的品质分档方法,包括:
根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的品质参数;
将所述样品的品质参数代入所述样品的品质函数关系式,计算所述样品的品质因子;
根据所述样品的品质因子,对所述样品进行品质分档。
可选的,在根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的品质参数之前,还包括:
按照预设距离,对所述样品进行均匀采样;
根据采样结果,对所述样品进行光致发光的检测,并生成相应的检测结果。
可选的,在根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的品质参数之前,还包括:
根据对各个所述样品的光致发光检测结果与所述样品成品效率之间的关系,获取所述样品的品质函数关系。
可选的,所述根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的性质和结构,包括
获取所述光致发光检测中所述样品的非平衡少数载流子的寿命曲线和荧光谱图;
根据所述非平衡少数载流子的寿命曲线和荧光谱图,分析所述样品的性质和结构。
可选的,所述样品的品质参数包括所述样品的缺陷位置、杂质分布、非平衡少数载流子的寿命平均值、缺陷面积比、暗区面积中的一种或几种的组合。
可选的,所述品质函数关系的计算式为:
Q=k*x+b
其中,所述计算式中的Q为所述样品的品质因子,x为所述样品的品质参数,k为相关系数,b为特征值。
可选的,所述样品为硅基材料。
第二方面,本发明实施例提供了一种基于PL检测的品质分档装置,包括:
检测结果获取模块,用于根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的品质参数;
品质因子计算模块,用于将所述样品的品质参数代入所述样品的品质函数关系式,计算所述样品的品质因子;
品质分档模块,用于根据所述样品的品质因子,对所述样品进行品质分档。
可选的,所述装置还包括:
采样模块,用于在根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的品质参数之前,按照预设距离,对所述样品进行均匀采样;
光致发光检测模块,用于根据采样结果,对所述样品进行光致发光的检测,并生成相应的检测结果。
可选的,所述装置还包括:
函数关系获取模块,用于根据对各个所述样品的光致发光检测结果与所述样品成品效率之间的关系,获取所述样品的品质函数关系。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710633136.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种CIS器件的封装方法及结构
- 下一篇:一种筛选异常晶粒的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造