[发明专利]一种基于PL检测的品质分档方法及装置在审
申请号: | 201710633136.X | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107481950A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 刘国;李琰琪 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 pl 检测 品质 分档 方法 装置 | ||
1.一种基于PL检测的品质分档方法,包括:
根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的品质参数;
将所述样品的品质参数代入所述样品的品质函数关系式,计算所述样品的品质因子;
根据所述样品的品质因子,对所述样品进行品质分档。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的品质参数之前,还包括:
按照预设距离,对所述样品进行均匀采样;
根据采样结果,对所述样品进行光致发光的检测,并生成相应的检测结果。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的品质参数之前,还包括:
根据对各个所述样品的光致发光检测结果与所述样品成品效率之间的关系,获取所述样品的品质函数关系式。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的品质参数,包括
获取所述光致发光检测中所述样品的非平衡少数载流子的寿命曲线和荧光谱图;
根据所述非平衡少数载流子的寿命曲线和荧光谱图,分析所述样品的品质参数。
5.根据权利要求1~4任一项所述的方法,其特征在于,所述样品的品质参数包括所述样品的缺陷位置、杂质分布、非平衡少数载流子的寿命平均值、缺陷面积比、暗区面积中的一种或几种的组合。
6.根据权利要求1~4任一项所述的方法,其特征在于,所述品质函数关系的计算式为:
Q=k*x+b
其中,所述计算式中的Q为所述样品的品质因子,x为所述样品的品质参数,k为相关系数,b为特征值。
7.根据权利要求1~4任一项所述的方法,其特征在于,所述样品为硅基材料。
8.一种基于PL检测的品质分档装置,包括:
检测结果获取模块,用于根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的品质参数;
品质因子计算模块,用于将所述样品的品质参数代入所述样品的品质函数关系式,计算所述样品的品质因子;
品质分档模块,用于根据所述样品的品质因子,对所述样品进行品质分档。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,还包括:
采样模块,用于在根据样品的光致发光检测结果进行分析以获取所述样品的品质参数之前,按照预设距离,对所述样品进行均匀采样;
光致发光检测模块,用于根据采样结果,对所述样品进行光致发光的检测,并生成相应的检测结果。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,还包括:
函数关系获取模块,用于根据对各个所述样品的光致发光检测结果与所述样品成品效率之间的关系,获取所述样品的品质函数关系。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造