[发明专利]导线的制造方法和显示面板有效
申请号: | 201710632725.6 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107221497B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 丁贤林;陈军;陈启程;张明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导线 制造 方法 显示 面板 | ||
本发明公开了一种导线的制造方法和显示面板,属于显示技术领域。所述方法包括:在衬底结构上形成过渡层,在形成有过渡层的衬底结构上形成金属层,在形成有金属层的衬底结构上形成第一光刻胶图案,以第一光刻胶图案为掩膜对金属层进行刻蚀,形成金属导线,以第一光刻胶图案为掩膜对过渡层进行刻蚀,形成过渡线,过渡线和金属导线构成导线。本发明通过以第一光刻胶图案作为金属层和过渡层的掩膜进行两次刻蚀,形成导线。解决了相关技术中以金属导线作为掩膜刻蚀过渡层时,刻蚀液可能损伤金属导线的问题,达到了保护金属导线的效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种导线的制造方法和显示面板。
背景技术
在制造显示面板的过程中,会在衬底结构(该衬底结构可以为衬底基板或栅绝缘层等结构)上形成各种金属导线,但由于金属导线和多数衬底结构之间的附着力较弱,因而通常会在金属导线和衬底结构之间设置与金属导线以及衬底结构的附着力均较强的过渡线,由该过渡线和金属导线共同构成显示面板中的导线。
目前,制造显示面板的方法包括1)在衬底结构上形成过渡层(过渡层通常由与衬底结构以及金属导线的附着力均较强的材料构成;2)在形成有过渡层的衬底结构上形成金属层;3)通过构图工艺在金属层上形成金属导线;4)以金属导线作为掩膜,刻蚀金属导线下方的过渡层,使该过渡层转变为与金属导线形状一致的过渡线。
以金属导线作为掩膜,刻蚀金属导线下方的过渡层时,刻蚀液可能会对金属导线造成损伤。
发明内容
为了解决相关技术的问题,本发明实施例提供了一种导线的制造方法和显示面板。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种导线的制造方法,所述方法包括:
在衬底结构上形成过渡层;
在形成有所述过渡层的衬底结构上形成金属层;
在形成有所述金属层的衬底结构上形成第一光刻胶图案;
以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述金属层进行刻蚀,形成金属导线;
以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀,形成过渡线,所述过渡线和所述金属导线构成所述导线。
可选的,所述过渡层的材料包括透明导电材料,
所述以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀,形成过渡线之前,所述方法还包括:
在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上形成用于作为像素电极图案的掩膜的第二光刻胶图案;
所述以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀,形成过渡线,包括:
以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀,形成所述过渡线和所述像素电极图案。
可选的,所述第一光刻胶图案由正性光刻胶构成,所述第二光刻胶图案由负性光刻胶构成;
或者,所述第一光刻胶图案由负性光刻胶构成,所述第二光刻胶图案由负性光刻胶或正性光刻胶构成。
可选的,所述在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上形成用于作为像素电极图案的掩膜的第二光刻胶图案,包括:
在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上涂布第二光刻胶层;
通过曝光和显影使所述第二光刻胶层转变为所述第二光刻胶图案。
可选的,所述以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀,形成所述过渡线和所述像素电极图案之后,所述方法还包括:
去除所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710632725.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:形成精细图案的方法
- 下一篇:一种高导热效率石墨复合片的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造