[发明专利]导线的制造方法和显示面板有效
申请号: | 201710632725.6 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107221497B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 丁贤林;陈军;陈启程;张明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导线 制造 方法 显示 面板 | ||
1.一种导线的制造方法,其特征在于,所述导线为用于实现显示功能的导线,或者用于实现触控功能的导线,所述方法包括:
在衬底结构上形成过渡层,所述过渡层的材料包括透明导电材料;
在形成有所述过渡层的衬底结构上形成金属层;
在形成有所述金属层的衬底结构上形成第一光刻胶图案;
以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述金属层进行刻蚀,形成金属导线;
在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上形成用于作为像素电极图案的掩膜的第二光刻胶图案;
以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀,形成过渡线和所述像素电极图案,所述过渡线和所述金属导线构成所述导线;
其中,所述第一光刻胶图案由正性光刻胶构成,所述第二光刻胶图案由负性光刻胶构成,或者,所述第一光刻胶图案由负性光刻胶构成,所述第二光刻胶图案由负性光刻胶或正性光刻胶构成。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上形成用于作为像素电极图案的掩膜的第二光刻胶图案,包括:
在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上涂布第二光刻胶层;
通过曝光和显影使所述第二光刻胶层转变为所述第二光刻胶图案。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀,形成所述过渡线和所述像素电极图案之后,所述方法还包括:
去除所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述透明导电材料包括多晶硅氧化铟锡。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀,形成所述过渡线和所述像素电极图案,包括:
以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜,通过多晶硅氧化铟锡刻蚀液对所述过渡层进行刻蚀,形成所述过渡线和所述像素电极图案。
6.根据权利要求1-5任一所述的方法,其特征在于,所述以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述金属层进行刻蚀,形成金属导线,包括:
以所述第一光刻胶图案为掩膜,通过金属刻蚀液对所述金属层进行刻蚀,形成金属导线。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀,形成过渡线和所述像素电极图案之后,所述方法还包括:
去除所述第一光刻胶图案。
8.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1-5任一所述方法制造的导线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造