[发明专利]金刚石基场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在金刚石层的上表面形成导电层，所述金刚石层为高电阻层；

在所述导电层的上表面覆盖掩膜层，所述掩膜层的材料为具有介电特性的材料；

去除无源区域对应的掩膜层和导电层；

分别去除源区对应的掩膜层和漏区对应的掩膜层；

在所述源区形成源区高掺杂区，在所述漏区形成漏区高掺杂区；

分别激活所述源区高掺杂区、所述漏区高掺杂区和所述导电层的载流子；

在所述源区高掺杂区的上表面覆盖第一金属层形成源极，在所述漏区高掺杂区的上表面覆盖第一金属层形成漏极；

在栅区对应的掩膜层的上表面覆盖第二金属层，形成栅极。

2.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在金刚石层的上表面形成导电层，具体包括：

在金刚石层的上表面外延生长掺杂金刚石作为导电层；或

通过离子注入法在金刚石层上注入掺杂离子形成导电层。

3.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述去除无源区域对应的掩膜层和导电层，具体包括：

通过光刻工艺在有源区域的上表面覆盖光刻胶；

通过腐蚀液去除无源区域的掩膜层；

通过刻蚀工艺刻蚀所述无源区域的导电层；

去除所述光刻胶。

4.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述分别去除源区对应的掩膜层和漏区对应的掩膜层，具体包括：

分别在源区和漏区之外的区域的上表面覆盖光刻胶；

分别通过腐蚀液去除所述源区对应的掩膜层和所述漏区对应的掩膜层；

去除所述光刻胶。

5.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述源区形成源区高掺杂区，在所述漏区形成漏区高掺杂区，具体包括：

通过离子注入法在所述源区对应的导电层注入载流子形成源区高掺杂区，通过离子注入法在所述漏区对应的导电层注入载流子形成漏区高掺杂区。

6.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述源区形成源区高掺杂区，在所述漏区形成漏区高掺杂区，具体包括：

通过外延法在所述源区对应的导电层外延生长高掺杂的外延层形成源区高掺杂区，通过外延法在所述漏区对应的导电层外延生长高掺杂的外延层形成漏区高掺杂区。

7.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述源区高掺杂区的上表面覆盖第一金属层形成源极，在所述漏区高掺杂区的上表面覆盖第一金属层形成漏极，具体包括：

通过光刻工艺在所述源区和所述漏区之外的区域覆盖光刻胶；

通过电子束蒸发工艺分别在所述源区高掺杂区的上表面和所述漏区高掺杂区的上表面覆盖第一金属层；

通过退火工艺分别使所述源区高掺杂区和所述漏区高掺杂区与所述第一金属层形成欧姆接触；

去除所述光刻胶。

8.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在栅区对应的掩膜层的上表面覆盖第二金属层，形成栅极，具体包括：

通过光刻工艺在所述栅区之外的区域覆盖光刻胶；

通过电子束蒸发工艺在所述栅区对应的掩膜层的上表面覆盖第二金属层；

去除所述光刻胶。

9.如权利要求1-8任一项所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述分别激活所述源区高掺杂区、所述漏区高掺杂区和所述导电层的载流子，具体包括：

在高真空、还原性气体气氛或惰性气体气氛中退火，分别激活所述源区高掺杂区、所述漏区高掺杂区和所述导电层的载流子。