[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

提供一种鳍式场效晶体管装置及其制造方法，此方法包含在基底上方形成鳍，形成隔离区相邻于鳍，在鳍的上方形成虚设栅极结构，将相邻于虚设栅极结构的鳍凹陷，以形成第一凹陷，第一凹陷具有U形底面，U形底面在隔离区的顶面下方，将第一凹陷重新塑形，以形成重新塑形后的第一凹陷，重新塑形后的第一凹陷具有V形底面，V形底面的至少一部分包含一或多个阶梯，在重新塑形后的第一凹陷内外延成长源极/漏极区。

技术领域

本发明实施例是关于半导体技术，特别是有关于鳍式场效晶体管装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置用于多种电子应用中，举例来说像是个人电脑、移动电话、数码相机及其他电子设备。通常通过在半导体基底上方按顺序地沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的各种材料，并使用微影技术将各种材料层图案化，以形成电路组件及元件在半导体基底上而制造出半导体装置。

半导体产业通过不断地缩减最小部件(feature)的尺寸，而持续改善了各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这使得更多的元件可以被整合至指定的面积内。然而，随着最小部件的尺寸缩减，其所衍生出的额外问题需要解决。

发明内容

根据一些实施例，提供半导体装置的制造方法。此方法包含在基底上方形成鳍，形成隔离区相邻于鳍，在鳍的上方形成虚设栅极结构，将相邻于虚设栅极结构的鳍凹陷，以形成第一凹陷，第一凹陷具有U形底面，U形底面在隔离区的顶面下方，将第一凹陷重新塑形，以形成重新塑形后的第一凹陷，重新塑形后的第一凹陷具有V形底面，V形底面的至少一部分包含一或多个阶梯，以及在重新塑形后的第一凹陷内外延成长源极/漏极区。

根据另一些实施例，提供半导体装置的制造方法。此方法包含将基底图案化以形成条状物，条状物包含第一半导体材料，沿着条状物的侧壁形成隔离区，条状物的上部延伸至隔离区的顶面上方，沿着条状物的上部的侧壁和顶面形成虚设栅极结构，在条状物的上部的暴露出的部分上实施异向性蚀刻制程，以形成第一凹陷，条状物的暴露出的部分没有被虚设栅极结构覆盖，在第一凹陷的侧壁和底面上实施等向性蚀刻制程，以形成重新塑形后的第一凹陷，重新塑形后的第一凹陷的底面具有一或多个阶梯，以及在重新塑形后的第一凹陷内外延成长源极/漏极区，源极/漏极区包含与第一半导体材料不同的第二半导体材料。

根据又另一些实施例，提供半导体装置。此装置包含在基底上方的鳍，相邻于鳍的隔离区，沿着鳍的通道区的侧壁和顶面上方的栅极结构，以及在相邻于栅极结构的鳍上方的外延区，外延区具有V形底面，V形底面的至少一部分具有阶梯状图案。

附图说明

通过以下的详细描述配合所附附图，可以更加理解本发明实施例的内容。需强调的是，根据工业上的标准惯例，许多部件并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor，FinFET)装置的透视示意图。

图2A～5A是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。

图6A和6B是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。

图7A、7B和7C是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。

图8A、8B和8C是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。

图9A、9B和9C是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。

图10A、10B和10C是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。