[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在一基底上方形成一鳍；

形成一隔离区相邻于该鳍；

在该鳍的上方形成一虚设栅极结构；

将相邻于该虚设栅极结构的该鳍凹陷以形成一第一凹陷，该第一凹陷具有一U形底面，该U形底面在该隔离区的一顶面之下；

将该第一凹陷重新塑形，以形成一重新塑形后的第一凹陷，该重新塑形后的第一凹陷具有一V形底面，该V形底面的至少一部分包括一或多个阶梯；以及

在该重新塑形后的第一凹陷内外延成长一源极/漏极区。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中将该鳍凹陷包括在该鳍上实施一第一蚀刻制程。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中该第一蚀刻制程为异向性干式蚀刻制程。

4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中该第一蚀刻制程物理性地蚀刻该鳍的材料。

5.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中将该第一凹陷重新塑形包括在该鳍上实施一第二蚀刻制程，该第二蚀刻制程与该第一蚀刻制程不同。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中该第二蚀刻制程为等向性干式蚀刻制程。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中该第二蚀刻制程化学性地蚀刻该鳍的材料。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中将该第一凹陷重新塑形还包括沿着该第一凹陷的多个侧壁和该U形底面移除受损的材料。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在该重新塑形后的第一凹陷内外延成长该源极/漏极区包括在该重新塑形后的第一凹陷内外延成长一第一半导体材料，该第一半导体材料与该鳍的一第二半导体材料不同。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：

将一基底图案化以形成一条状物，该条状物包括一第一半导体材料；

沿着该条状物的一侧壁形成一隔离区，该条状物的一上部延伸至该隔离区的一顶面之上；

沿着该条状物的该上部的多个侧壁和一顶面形成一虚设栅极结构；

在该条状物的该上部的一暴露出的部分上实施一异向性蚀刻制程以形成一第一凹陷，该条状物的该暴露出的部分没有被该虚设栅极结构覆盖；

在该第一凹陷的多个侧壁和一底面上实施一等向性蚀刻制程，以形成一重新塑形后的第一凹陷，该重新塑形后的第一凹陷的一底面具有一或多个阶梯；以及

在该重新塑形后的第一凹陷内外延成长一源极/漏极区，该源极/漏极区包括与该第一半导体材料不同的一第二半导体材料。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中实施该等向性蚀刻制程还包括沿着该第一凹陷的所述多个侧壁和该底面移除受损的材料。

12.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中该异向性蚀刻制程物理性地蚀刻该第一半导体材料。

13.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中该异向性蚀刻制程藉由离子轰击蚀刻该第一半导体材料。

14.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中该等向性蚀刻制程使用自由基化学性地蚀刻该第一半导体材料。

15.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，还包括在该虚设栅极结构的多个侧壁上和在该条状物的该上部的该暴露出的部分的多个侧壁上形成多个间隔物。

16.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中该重新塑形后的第一凹陷的该底面在该隔离区的该顶面下方。