[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和包括其的显示装置

说明书

公开了一种包括N型半导体层和P型半导体层二者的薄膜晶体管及其制造方法和包括其的显示装置，其中所述薄膜晶体管可包括：位于基板上的第一栅极电极；用于覆盖所述第一栅极电极的第一栅极绝缘膜；位于所述第一栅极绝缘膜上的半导体层；用于覆盖所述半导体层的第二栅极绝缘膜；和位于所述第二栅极绝缘膜上的第二栅极电极，其中所述半导体层包括N型半导体层和P型半导体层。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年7月29日提交的韩国专利申请No.10-2016-0097308和于2016年8月23日提交的韩国专利申请No.10-2016-0107224的权益，在此援引这些专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。

技术领域

本公开内容的实施方式涉及一种薄膜晶体管及其制造方法和包括其的显示装置。

背景技术

随着信息导向社会的发展，对于显示图像的显示装置的各种需求逐渐增加。因而，存在液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)装置和有机发光显示(OLED)装置的各种显示装置。

显示装置可包括显示面板、栅极驱动电路、数据驱动电路和时序控制器。显示面板可包括栅极线、数据线、以及设置在栅极线和数据线的每个交叉部分的像素，其中当栅极信号提供至栅极线时，数据线的数据电压提供至像素。像素根据数据电压发射具有预定亮度的光。显示装置通过使用对应于开关装置的薄膜晶体管驱动像素和栅极驱动电路。薄膜晶体管可以是用于通过电场控制电流的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

对应于反相器的互补金属氧化物半导体(CMOS)可用作用于适当输出输入信号的显示装置的开关装置，其中CMOS需要N型MOSFET和P型MOSFET二者。就是说，CMOS包括至少两个薄膜晶体管，使得在CMOS的尺寸减小方面具有限制。

发明内容

因此，本发明的实施方式涉及一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的薄膜晶体管。

本发明的实施方式的一个方面旨在提供一种包括N型半导体层和P型半导体层二者的薄膜晶体管及其制造方法和包括其的显示装置。

在下面的描述中将部分列出本发明实施方式的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的解释对于本领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明实施方式的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明实施方式的这些目的和其他优点。

为了实现这些和其他优点并根据本发明实施方式的目的，如在此具体化和概括描述的，提供了一种薄膜晶体管，可包括：设置在基板上的第一栅极电极；用于覆盖所述第一栅极电极的第一栅极绝缘膜；设置在所述第一栅极绝缘膜上的半导体层；用于覆盖所述半导体层的第二栅极绝缘膜；和设置在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅极电极，其中所述半导体层包括N型半导体层和P型半导体层。

在本发明实施方式的另一个方面中，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，可包括：在基板上设置第一栅极电极；设置用于覆盖所述第一栅极电极的第一栅极绝缘膜；在所述第一栅极绝缘膜上设置包括N型半导体层和P型半导体层的半导体层；设置用于覆盖所述半导体层的第二栅极绝缘膜；和在所述第二栅极绝缘膜上设置第二栅极电极。