[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和包括其的显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

设置在基板上的第一栅极电极；

用于覆盖所述第一栅极电极的第一栅极绝缘膜；

设置在所述第一栅极绝缘膜上的半导体层；

用于覆盖所述半导体层的第二栅极绝缘膜；和

设置在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅极电极，

其中所述半导体层包括N型半导体层和P型半导体层；

其中所述P型半导体层设置在所述N型半导体层上，以及其中所述P型半导体层的厚度小于所述N型半导体层的厚度；以及

其中所述第一栅极电极不与所述第二栅极电极重叠。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层的第一部分与所述第一栅极电极重叠并且所述半导体层的第二部分与所述第二栅极电极重叠。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第一栅极电极与所述N型半导体层之间的重叠区域定义为第一沟道区域，并且所述第二栅极电极与所述P型半导体层之间的重叠区域定义为第二沟道区域。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，进一步包括遮光层，所述遮光层由与所述第一栅极电极相同的材料形成、设置在与所述第一栅极电极相同的层中并且与所述第二沟道区域重叠。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：

所述半导体层上的多个源极电极，所述多个源极电极包括第一源极电极和第二源极电极；以及

所述半导体层上的多个漏极电极，所述多个漏极电极包括第一漏极电极和第二漏极电极，

其中所述多个漏极电极位于所述第一源极电极和所述第二源极电极之间。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中所述第一源极电极和所述第一漏极电极与所述第一栅极电极重叠，并且所述第二源极电极和所述第二漏极电极与所述第二栅极电极重叠。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：

用于覆盖所述第二栅极电极的层间绝缘层；以及

所述层间绝缘层上的多个源极电极，所述多个源极电极包括第一源极电极和第二源极电极；以及

所述层间绝缘层上的多个漏极电极，所述多个漏极电极包括第一漏极电极和第二漏极电极，

其中所述多个源极电极和所述多个漏极电极的每一个通过贯穿所述层间绝缘层和所述第二栅极绝缘膜的接触孔与所述半导体层连接。

8.根据权利要求5或7所述的薄膜晶体管，其中所述多个源极电极和所述多个漏极电极之中的至少一个电极包括功函数为5.0eV或超过5.0eV的金属材料。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述第一源极电极和所述第一漏极电极与所述第一栅极电极重叠，所述第二栅极电极设置在所述第二源极电极和所述第二漏极电极之间并且不与所述第二源极电极或所述第二漏极电极重叠。

10.根据权利要求5或7所述的薄膜晶体管，进一步包括用于将所述第一漏极电极和所述第二漏极电极连接到一起的连接电极。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述N型半导体层是N型氧化物半导体层，并且所述P型半导体层是P型氧化物半导体层。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其中所述P型半导体层由Cu₂O形成。