[发明专利]一种可隔离重构功率半导体模块及其隔离重构方法有效

专利信息
申请号: 201710630639.1 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN109309446B 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 刘文业;李彦涌;罗剑波;赖伟;范伟;李冬蕾 申请(专利权)人: 中车株洲电力机车研究所有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02H7/12
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 陈晖
地址: 412001 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 隔离 功率 半导体 模块 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种可隔离重构功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块(1)包括:

两组以上的功率芯片组(2),所述功率芯片组(2)包括两组以上采用对称结构布置的功率芯片(10);

与所述功率芯片(10)的栅极相连的脉冲发生单元(7);

与所述功率芯片(10)的集电极和发射极分别相连的状态检测单元(8);

分别与所述脉冲发生单元(7)、状态检测单元(8)相连的功率芯片管理单元(6);

所述功率芯片组(2)的集电极公共连接端(9),及发射极公共连接端(11)至各个功率芯片(10)的电气主端子(12)之间的连接段(3)采用快熔材料;

当所述功率芯片(10)发生故障时,所述连接段(3)熔断,断开发生故障的功率芯片(10)与所述功率芯片组(2)内其它正常功率芯片(10)的集电极或发射极连接,实现物理电气隔离;

当所述状态检测单元(8)检测到所述功率芯片(10)发生故障时,所述功率芯片管理单元(6)通过所述脉冲发生单元(7)封锁相应功率芯片(10)的栅极脉冲通道;

采用对称结构布置的功率芯片(10)包括芯片一(4)和芯片二(5),所述芯片一(4)和芯片二(5)的集电极均连接至所述集电极公共连接端(9),所述芯片一(4)和芯片二(5)的发射极均连接至所述发射极公共连接端(11);

当所述功率芯片组(2)内的芯片一(4)发生故障时,所述连接段(3)熔断,将发生故障的所述芯片一(4)物理隔离;同时,所述状态检测单元(8)将所述芯片一(4)的故障结果反馈至所述功率芯片管理单元(6);所述功率芯片管理单元(6)根据参数对称匹配要求,发送信号至所述脉冲发生单元(7),屏蔽与所述芯片一(4)对称运用的芯片二(5)的栅极脉冲,实现所述功率芯片(10)的重构及所述芯片二(5)的逻辑隔离,保证所述功率半导体模块(1)内部各个功率芯片组(2)的电路和参数对称。

2.根据权利要求1所述的可隔离重构功率半导体模块,其特征在于:当所述功率芯片(10)发生故障时,所述功率芯片(10)的电气主端子(12)连接至所述集电极公共连接端(9)或发射极公共连接端(11)的连接段(3)熔断。

3.根据权利要求1或2所述的可隔离重构功率半导体模块,其特征在于:当所述状态检测单元(8)检测到所述功率芯片(10)发生故障时,形成相关功率芯片(10)的故障信息输出至所述功率芯片管理单元(6),所述功率芯片管理单元(6)根据预设的功率芯片(10)重构策略产生控制字,并通过所述脉冲发生单元(7)实现对相应功率芯片(10)脉冲通道的封锁控制,以实现控制逻辑隔离。

4.根据权利要求3所述的可隔离重构功率半导体模块,其特征在于:所述状态检测单元(8)通过检测所述功率芯片(10)集电极与发射极之间的电压判断所述功率芯片(10)是否发生故障。

5.根据权利要求4所述的可隔离重构功率半导体模块,其特征在于:在正常情况下,所述功率半导体模块(1)的功率芯片(10)工作在饱和状态,功率芯片(10)集电极与发射极之间的电压降至饱和值Ucesat;当所述功率芯片(10)的集电极电流增加至额定值的一定倍数时,功率芯片(10)退出饱和状态,其集电极-发射极之间的电压升高,最终达到直流母线电压Udc;通过检测功率芯片(10)集电极-发射极之间的电压值Vce,同时设置一个参考电压的门槛值,两者进行比较,当检测到集电极-发射极之间的电压值超过参考电压的门槛值时,所述状态检测单元(8)向功率芯片管理单元(6)报送故障信号。

6.根据权利要求1、2、4或5所述的可隔离重构功率半导体模块,其特征在于:所述功率芯片管理单元(6)输出当前功率半导体模块(1)内部功率芯片(10)的工作状态信息,并通过对外接口实现与外部上层控制系统的信息交互。

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