[发明专利]液晶显示面板的处理方法有效
申请号: | 201710629299.0 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN108072989B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 李成 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 处理 方法 | ||
本发明提供了一种液晶显示面板的处理方法,包括:提供液晶显示面板,所述液晶显示面板包括薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板和夹持于所述薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板之间的液晶层,所述薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板背向所述液晶层的表面存在凹坑;在所述薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板背向所述液晶层的表面上分别形成有机硅树脂膜层或氧化硅膜层以填充液晶显示面板的两基板上存在的凹坑,得到平坦化后的液晶显示面板;再对平坦化后的液晶显示面板进行薄化处理。有机硅树脂膜层或氧化硅膜层的存在,能填充面板上可能存在的凹坑,可在面板进行薄化时减少凹坑被恶化的可能,以提高面板的显示质量。
技术领域
本发明涉及液晶显示面板技术领域,尤其涉及一种液晶显示面板的处理方法。
背景技术
近年来,液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)技术以其低功耗、低辐射、轻巧便捷的独特优势迅速得到普及。其中,薄膜晶体管液晶显示屏(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是利用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)来产生电压以控制液晶分子转向以实现画面显示,TFT-LCD面板以其反应速度快、可视角大等优点在手机等电子装置上得到了广泛应用。
TFT-LCD面板通常包括相对设置的TFT阵列基板与彩膜基板以及设置在两基板之间的液晶层和框胶,TFT阵列基板主要负责电信号传输,彩膜基板主要提供面板显示所需的色彩。在TFT-LCD面板的制备过程中,TFT阵列基板与彩膜基板的底部通常会接触到顶针、滚轮等机构,当玻璃材质的TFT阵列基板与彩膜基板底部与这些机构接触或与这些机构上存在的异物接触时,可能会产生微观上的划伤或者破损,其中破损形成的凹坑即称为dimple。而在TFT阵列基板与彩膜基板进行上下贴合以完成cell制程后,通常会采用氢氟酸对面板的两基板进行薄化处理,但薄化过程中,两基板上的dimple会进一步增大(如图1(a)和1(b)所示),进而当TFT-LCD面板在使用中被点亮时,会在dimple处出现与面板别处显示不均匀的现象,降低了面板的显示质量。
因此,有必要降低薄化前的面板上凹坑的发生率,进而改善面板成品的显示质量。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种液晶显示面板的处理方法,用于解决现有技术中面板的薄化制程会恶化面板上的凹坑的问题。
具体地,本发明提供了一种液晶显示面板的处理方法,包括以下步骤:
提供成盒后液晶显示面板,所述成盒后液晶显示面板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板、彩膜基板和夹持于所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层;所述薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板背向所述液晶层的表面在成盒制程中形成有凹坑;
在所述TFT阵列基板与彩膜基板背向所述液晶层的表面上上分别形成有机硅树脂膜层或氧化硅膜层以填充所述液晶显示面板上的凹坑,使所述TFT阵列基板与彩膜基板背向所述液晶层的表面平坦化;
对平坦化的液晶显示面板进行薄化,得到薄化后的液晶显示面板。
其中,所述有机硅树脂膜层或所述氧化硅膜层的厚度为0.6-1.0 μm。
其中,所述薄膜晶体管阵列基板包括阵列基板衬底,以及形成在所述阵列基板衬底上的薄膜晶体管膜层,所述有机硅树脂膜层或氧化硅膜层形成在所述阵列基板衬底上远离所述薄膜晶体管膜层的一面;所述彩膜基板包括彩膜基板衬底,以及形成在彩膜基板衬底上的彩膜膜层;所述有机硅树脂膜层或氧化硅膜层形成在所述彩膜基板衬底上远离所述彩膜膜层的一面。
其中,所述凹坑是在所述薄膜晶体管阵列基板上薄膜晶体管膜层的制备过程、所述彩膜基板上彩膜膜层的制备过程中,所述阵列基板衬底和所述彩膜基板衬底接触到顶针、滚轮和毛刷中的至少一种机构或这些结构上存在的异物所产生。
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