[发明专利]液晶显示面板的处理方法有效
申请号: | 201710629299.0 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN108072989B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 李成 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 处理 方法 | ||
1.一种液晶显示面板的处理方法,其特征在于:
提供成盒后液晶显示面板,包括薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板和夹持于所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层;所述薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板背向所述液晶层的表面在成盒制程中形成有凹坑;其中,所述薄膜晶体管阵列基板包括阵列基板衬底,所述彩膜基板包括彩膜基板衬底,所述阵列基板衬底和所述彩膜基板衬底均为玻璃衬底;
在所述薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板背向所述液晶层的表面上分别形成有机硅树脂膜层或氧化硅膜层以填充所述液晶显示面板上的凹坑,使薄膜体管阵列基板与彩膜基板背向所述液晶层的表面平坦化;所述有机硅树脂膜层或氧化硅膜层的厚度为0.6-1.0 μm;
对平坦化的液晶显示面板进行薄化,得到薄化后的液晶显示面板;其中,所述薄化是采用氢氟酸溶液进行腐蚀处理。
2.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括设置在所述阵列基板衬底上的薄膜晶体管膜层,所述有机硅树脂膜层或氧化硅膜层设置在所述阵列基板衬底上远离所述薄膜晶体管膜层的一面;所述彩膜基板还包括设置在所述彩膜基板衬底上的彩膜膜层;所述有机硅树脂膜层或氧化硅膜层设置在所述彩膜基板衬底上远离所述彩膜膜层的一面。
3.如权利要求2所述的处理方法,其特征在于,所述凹坑是在所述薄膜晶体管阵列基板上薄膜晶体管膜层的制备过程、所述彩膜基板上彩膜膜层的制备过程中,所述阵列基板衬底和彩膜基板衬底接触到顶针、滚轮和毛刷中的至少一种机构或这些结构上存在的异物所产生。
4.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述有机硅树脂膜层的形成方式为:将有机硅树脂和有机溶剂相混合,然后将混合得到的有机硅树脂浆料涂覆在所述薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板上,形成有机树脂膜层,对所述有机树脂膜层进行固化,完成所述有机硅树脂膜层的制备。
5.如权利要求4所述的处理方法,其特征在于,所述有机硅树脂是采用以下方法制得:将正硅酸乙酯、γ-环氧丙氧基三甲氧基硅烷在催化剂作用下,加入醇类溶剂和水进行水解,待熟化后,加入固化剂和流平剂,在20℃-30℃下混合均匀,再继续熟化,得到有机硅树脂。
6.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述氧化硅膜层的制备过程如下:
将液晶显示面板置于化学气相沉积设备中,通入甲硅烷气体和氧化二氮气体,控制设备内的气压为1-5托,温度为100~400℃,沉积形成所述氧化硅膜层。
7.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述氧化硅膜层是采用如下方法制备得到:
将液晶显示面板置于化学气相沉积设备中,通入有机硅烷气体和氧气,控制设备内的气压为1-5托,温度为100~400℃,沉积形成所述氧化硅膜层;
或者将液晶显示面板置于化学气相沉积设备中,所述化学气相沉积设备的反应腔室上方设有紫外光源,向所述化学气相沉积设备中通入有机硅烷气体和氧气,打开所述紫外光源,沉积形成所述氧化硅膜层。
8.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述薄化后的液晶显示面板包括薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板和夹持于所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。
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