[发明专利]半导体器件及相应制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体基件的预设注入区域注入离子源；

通过热扩散，使所述离子源进入预设的JFET区域；

在完成热扩散的半导体基件上蚀刻沟槽结构，形成半导体器件；

所述在半导体基件的预设注入区域注入离子源，包括：

在所述半导体基件的外延层生长第一氧化层；

根据所述注入区域，在所述第一氧化层进行光刻，形成阻挡层；

根据所述阻挡层，在所述注入区域注入离子源；

所述通过热扩散，使所述离子源进入预设的JFET区域，包括：

对注入离子源的半导体基件进行热退火推结，在推结过程中生长出第二氧化层，并在所述第二氧化层和所述外延层之间形成掺杂N层，从而使所述离子源进入所述JFET区域；

所述注入区域包括至少一个离子注入窗口；

所述在完成热扩散的半导体基件上蚀刻沟槽结构，包括：

确定各离子注入窗口的中心位置和窗口区域；

根据各离子注入窗口的中心位置和窗口区域，在完成热扩散的半导体基件上蚀刻沟槽结构；所述沟槽结构中任意相邻沟槽间的体硅区域构成所述JFET区域；

所述根据各离子注入窗口的中心位置和窗口区域，在完成热扩散的半导体基件上蚀刻沟槽结构，包括：

针对每个离子注入窗口：

将该离子注入窗口的中心位置作为相应沟槽的沟槽蚀刻窗口的中心位置；

根据该离子注入窗口的窗口区域，确定相应沟槽的沟槽蚀刻窗口的窗口区域；

根据所述沟槽蚀刻窗口的中心位置和窗口区域，在完成热扩散的半导体基件上蚀刻相应沟槽；

其中，沟槽蚀刻窗口的窗口区域的宽度大于该离子注入窗口的窗口区域的宽度；

所述掺杂N层在纵向和横向均具有高斯分布的掺杂源；所述掺杂N层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度；N型器件的离子源包括N型掺杂源；所述离子源的注入能量在30KEV-120KEV之间，所述离子源的注入剂量在10¹¹～10¹³cm^-2之间；所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度。

2.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有沟槽结构，所述沟槽结构中任意相邻沟槽间的体硅区域构成JFET区域；所述JFET区域具有离子源掺杂；

掺杂有所述离子源的所述JFET区域通过如下步骤制得：

在半导体基件的外延层生长第一氧化层；

根据预设的注入区域，在所述第一氧化层进行光刻，形成阻挡层；

根据所述阻挡层，在所述注入区域注入离子源；

对注入所述离子源的所述半导体基件进行热退火推结，在推结过程中生长出第二氧化层，并在所述第二氧化层和所述外延层之间形成掺杂N层，从而使所述离子源进入所述JFET区域；

所述注入区域包括至少一个离子注入窗口；

在完成热扩散的半导体基件上蚀刻沟槽结构通过如下步骤制得：确定各离子注入窗口的中心位置和窗口区域；根据各离子注入窗口的中心位置和窗口区域，在完成热扩散的半导体基件上蚀刻沟槽结构；所述沟槽结构中任意相邻沟槽间的体硅区域构成所述JFET区域；

所述根据各离子注入窗口的中心位置和窗口区域，在完成热扩散的半导体基件上蚀刻沟槽结构通过如下步骤制得：针对每个离子注入窗口：将该离子注入窗口的中心位置作为相应沟槽的沟槽蚀刻窗口的中心位置；根据该离子注入窗口的窗口区域，确定相应沟槽的沟槽蚀刻窗口的窗口区域；根据所述沟槽蚀刻窗口的中心位置和窗口区域，在完成热扩散的半导体基件上蚀刻相应沟槽；

其中，沟槽蚀刻窗口的窗口区域的宽度大于该离子注入窗口的窗口区域的宽度；

所述掺杂N层在纵向和横向均具有高斯分布的掺杂源；所述掺杂N层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度；N型器件的离子源包括N型掺杂源；所述离子源的注入能量在30KEV-120KEV之间，所述离子源的注入剂量在10¹¹～10¹³cm^-2之间；所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括外延层和生长在所述外延层上的掺杂N层；所述沟槽结构设置在所述外延层和所述掺杂N层。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽结构构成有源区域和终端区域。