[发明专利]超级电容含浸方法

权利要求书

1.超级电容含浸方法，其特征在于：包括以下步骤，

1)将数个阵列排序的芯包放置在含浸炉内的伸缩架中；

2)将含浸物质放置在伸缩架的下方；

3)密封含浸炉，并通过真空泵将含浸炉的真空度降至0.1～1×10^-4MPa，真空度稳定后，保持30-50min；

4)升高含浸炉的温度，然后将伸缩架置于含浸物质中；

5)开启超声设备，超声时间为10-30min；

6)关闭超声设备，将伸缩架升起，使伸缩架离开含浸物质；

7)除去芯包表面的含浸物质；

8)将含浸炉内气压恢复至常压，同时降低含浸炉的温度至室温；

9)取出芯包，完成含浸过程。

2.根据权利要求1所述的超级电容含浸方法，其特征在于：所述的伸缩架由聚四氟乙烯制成。

3.根据权利要求1所述的超级电容含浸方法，其特征在于：所述的伸缩架为网状结构，其中伸缩架内设有伸缩杆和壳体，且伸缩杆上连有电动开关，壳体设有数个与芯包适配的容纳腔。

4.根据权利要求3所述的超级电容含浸方法，其特征在于：所述的伸缩杆和壳体通过转轴活动连接，且转轴上连有电机。

5.根据权利要求1所述的超级电容含浸方法，其特征在于：所述的含浸物质在室温下为固态，在高温下为液态。

6.根据权利要求1所述的超级电容含浸方法，其特征在于：所述的含浸物质为热熔胶。

7.根据权利要求1所述的超级电容含浸方法，其特征在于：所述的步骤4)所需升高的温度为130-300℃。

8.根据权利要求1所述的超级电容含浸方法，其特征在于：所述的步骤5)中伸缩架在电动开关的控制下在竖直方向上保持匀速地往复运动，且往复运动中壳体保持在含浸物质中。