[发明专利]具有一维纳米阵列结构的碲镉汞薄膜的制备方法

权利要求书

1.具有一维纳米阵列结构的碲镉汞薄膜的制备方法，采用磁控溅射仪制备具有一维纳米阵列结构的碲镉汞薄膜，其特征在于，制备的步骤如下：

1.1、放置靶材：将碲化镉靶材放入磁控溅射仪的真空室(7)中的第1射频台(1)上，将碲化汞靶材放入磁控溅射仪的真空室(7)中的第2射频台(12)上；碲化镉和碲化汞靶材的纯度必须在99.999％以上；

1.2、放置单晶硅基板：首先清洗单晶硅基板，将单晶硅基板放置于烧杯中用丙酮浸没，超声清洗至少5min；取出单晶硅基板放置于另一个烧杯中用酒精浸没，超声清洗至少5min；取出单晶硅基板放置于另一个烧杯中用去离子水浸没，超声清洗至少5min；取出单晶硅基板用去离子水冲洗至少30s，烘干，然后把单晶硅基板放置于样品台(2)上；

1.3、调节样品台位置：调节样品台(2)与第1射频台(1)的距离和样品台(2)与第2射频台(12)的距离均为d，d＝100mm～120mm；

1.4、调节真空室真空度：对真空室(7)抽真空，使真空室(7)内的真空压力不大于1.0×10^－4Pa；

1.5、调节基板温度：将单晶硅基板加热至100℃～190℃；

1.6、调节真空室氩气压强：向真空室(7)中充入氩气，并将氩气压强调节至不大于1Pa；

1.7、施加射频功率：在所述单晶硅基板后的阳极(11)与射频台后的两个阴极之间分别施加射频功率，所述射频功率为30W～50W；

1.8溅射沉积碲镉汞薄膜：开始碲镉汞薄膜溅射，基板沉积碲镉汞薄膜，沉积时间为1h～2h；

1.9、退火处理：将基板加热到100℃～190℃，保温0.5h～1h，自然冷却至室温。

2.根据权利要求1所述的具有一维纳米阵列结构的碲镉汞薄膜的制备方法，其特征在于，把单晶硅基板放置于样品台(2)上以后，单晶硅表面取向为[100]或[001]。