[发明专利]一种调节薄膜应力的方法和由此制备得到的薄膜

权利要求书

1.一种调节薄膜应力的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将基体装入真空腔室，通入Ar气体，对基体施加负偏压，采用多弧离子镀对基体表面进行轰击；

S2、停止通入Ar气体而通入N₂气体，对基体施加负偏压，采用多弧离子镀在基体表面沉积薄膜底层；

S3、冷却基体使其温度控制在0～10℃，继续通入N₂气体，对基体施加负偏压，采用磁控溅射在基体表面沉积薄膜中间层；

S4、继续通入N₂气体，对基体施加负偏压，采用多弧离子镀在基体表面沉积薄膜顶层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中，真空腔室本底真空度为5.0×10^-3Pa，通入Ar气体升压至0.4Pa～0.6Pa；基体负偏压为-800V，偏压频率40KHz，占空比40％；电弧靶电流为65A，电压为20V；轰击时间为1～2分钟。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，通入N₂气体升压至0.8Pa；基体负偏压为-100V，偏压频率40KHz，占空比40％；电弧靶电流为65A，电压为20V；沉积时间为20分钟。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中，继续通入N₂气体使气压保持0.8Pa；基体负偏压为-100V，偏压频率40KHz，占空比40％；磁控靶功率为250W；沉积时间为120分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中，继续通入N₂气体使气压保持0.8Pa；基体负偏压为-100V，偏压频率40KHz，占空比40％；电弧靶电流为65A，电压为20V；沉积时间为20分钟。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1至S4全程都冷却基体使其温度保持在0～10℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在步骤S1之前还包括对基体表面的前处理工艺。

8.一种基体表面镀覆的薄膜，其特征在于，采用权利要求1-7中任一项所述的调节薄膜应力的方法制备得到，包括柱状晶结构的薄膜底层、非晶纳米晶混合结构的薄膜中间层和柱状晶结构的薄膜顶层。