[发明专利]用联动导电连接组件以形成封装半导体装置的方法及结构

说明书

用联动导电连接组件以形成封装半导体装置的方法及结构。一种用于形成经封装的半导体装置的方法，其包含提供第一导电框架结构。所述方法包含耦合第二导电框架结构至所述第一导电框架结构以提供第一子组件，其中所述第二导电框架结构包含多个互连导电连接结构。所述方法包含藉由囊封层来囊封所述第一子组件以提供囊封子组件。所述方法包含移除所述第一导电框架结构的经结合的导电部分以形成置于所述囊封子组件的侧边表面上的多个导电侧翼表面。所述方法包含形成导电层于所述导电侧翼表面上。所述方法包含分离所述囊封子组件以提供所述经封装的半导体装置，每个经封装的半导体装置具有由所述导电层所覆盖的所述导电侧翼表面的部分。

技术领域

本发明是关于电子元件，特别是关于半导体封装、其结构以及形成半导体封装的方法。

背景技术

在过去，经封装的功率半导体装置使用各种制造技术以沉积导电材料于导电引线框架的露出部。在离散功率半导体装置中，例如离散场效电晶体(FET)半导体装置或二极体半导体装置，制造业者使用矩阵引线框架，其通常包含晶粒附接垫的阵列，每个晶粒附接垫具有相邻配置的多个引线但是所述多个引线与所述晶粒附接垫隔离。半导体晶粒被附接至所述晶粒附接垫并且使用离散的、独立的或分离的连接结构(例如导线接合互连或夹具)电性地连接至所述引线。此子组件接着被囊封以提供模制封装本体给每个半导体晶粒。接着，所述囊封子组件被放置在电镀设备中并且导电材料被电镀到所述导电引线框架的露出的表面上。在所述电镀过程中，电流通过导电引线，其减少用以形成薄连续金属镀膜于所述导电引线框架的露出的表面上溶解的金属阳离子。

过去的方法有一个问题是，为了使电流通过整个导电引线框架，来自引线框架的相邻部分的某些引线必须结合在一起。在所述电镀制程之后，所述个别封装的半导体装置接着使用切割制程而被分隔开。所述切割制程分离所述结合的引线从而提供不具有电镀材料的引线面或侧翼(flank)表面。此留下不想要被露出的引线框架材料，其通常是铜。所述露出来的铜不与焊料附着，其产生较弱的焊料结合并且对于经组装的电子构件的可靠性有不利的影响。

试图去解决此问题，制造业者在所述结合的引线中凿孔洞、在所述结合的引线中产生半蚀刻区域或在所述结合的引线中使用侧边沟槽以提供覆盖有所述电镀材料的某些侧边表面或侧翼表面。虽然这些方案使得引线面的侧边或侧翼表面具有大约20％到60％之间的可附着表面覆盖率，然而这些方案无法提供100％的覆盖率，并且因此还是产生劣质焊料结合。再者，这些方案无法提供所述组装电路板层级(assembly board level)所需的足够坚固的焊料结合保护以满足严格的汽车规格，其需要100％可附着的侧覆盖率。

因此，还是期望能有一种提供经封装的半导体装置的方法和结构，其改善所述引线框架的侧边和侧翼表面的所述可附着表面覆盖率。并且也期望所述结构和方法可容易地并入制造流程中并且具有成本效益。

发明内容

除了其他特征外，本发明包含一种使用导电框架结构来制造经封装的半导体的方法，所述导电框架结构具有多个(即至少两个)一起联动的导电连接结构。所述联动的导电连接结构被用来传导电流到在另一导电框架结构上的导电构件，所述另一导电框架结构具有露出的导电侧翼表面有助于改善所述露出的导电侧翼表面中具有可焊材料的覆盖率。除了其他情况之外，所述方法以及所形成的结构提供经封装的半导体装置，其被建构以提供达到100％可附接侧翼表面。也就是，所述方法和结构提供实质上覆盖有可焊材料露出的侧边或导电侧翼表面，其有助于改善用于附接至下一层级的组件(例如印刷电路板)的可湿式附接(wettable)表面。所述方法和结构提供借助于相较于先前方案的较坚固的焊料接合的用于改善的可靠度。所述方法和结构适用于具有露出的侧翼或侧边表面的经封装的半导体装置以及其他电子装置，所述侧翼或侧边表面经建构用于随后沉积可焊材料，但是所述方法和结构不限于在所述经封装的半导体装置的两个相对侧上具有侧翼表面的功率半导体装置。