[发明专利]用联动导电连接组件以形成封装半导体装置的方法及结构在审
申请号: | 201710618460.4 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN108630554A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 明姚祥;莫哈末·哈斯卢·滨·朱基菲 | 申请(专利权)人: | 艾马克科技公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/48;H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑 |
地址: | 美国亚利桑那*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电框架 导电 半导体装置 侧翼表面 封装 封装半导体装置 导电连接组件 导电层 子组件 联动 囊封 导电连接结构 侧边表面 耦合 互连 移除 覆盖 | ||
1.一种形成经封装的半导体装置的方法,包含:
提供第一导电框架结构;
耦合第二导电框架结构至所述第一导电框架结构以提供第一子组件,其中所述第二导电框架结构包含多个互连导电连接结构;
藉由囊封层来囊封所述第一子组件以提供囊封子组件;
移除所述第一导电框架结构的经结合的导电部分以形成配置在所述囊封子组件的侧边表面上的多个导电侧翼表面;
形成导电层在所述导电侧翼表面上;以及
分离所述囊封子组件以提供所述经封装的半导体装置,每个所述经封装的半导体装置具有藉由所述导电层所覆盖的所述导电侧翼表面的部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:
形成所述导电层包含使用所述多个互连导电连接结构来传递电流经过所述第一导电框架结构的部分以电镀所述导电层于所述导电侧翼表面上;
分离包含提供每个所述经封装的半导体装置具有曝露于所述囊封层的外侧的所述第二导电框架结构的远端末端部分;以及
所述远端末端部分是缺乏所述导电层。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:
提供所述第一导电框架结构包含提供:
第一晶粒附接垫;
与所述第一晶粒附接垫分隔开的第二晶粒附接垫;
配置于邻近所述第一晶粒附接垫的第一引线;以及
配置于邻近所述第二晶粒附接垫的第二引线,其中所述第一引线邻接到所述第二引线和所述第二晶粒附接垫中的一个以提供所述经结合的导电部分中的一个;
附接至所述第一晶粒附接垫的第一半导体晶粒;
附接至所述第二晶粒附接垫的第二半导体晶粒;
耦合所述第二导电框架结构包含:
附接第一导电连接结构至所述第一半导体晶粒和所述第一引线;以及
附接第二导电连接结构至所述第二半导体晶粒,其中所述第一导电连接结构是物理性地互连至所述第二导电连接结构;
囊封包含留下曝露于所述囊封子组件的外侧的所述第一导电框架结构的至少部分;以及
移除包含移除所述经结合的导电部分的一个以曝露所述第一引线的侧翼表面。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:
附接所述第一导电连接结构包含附接第一夹具结构;
附接所述第二导电连接结构包含附接第二夹具结构;
附接所述第二夹具结构进一步包含附接所述第二夹具结构至所述第二引线;以及
移除包含移除所述经结合的导电部分的全部。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:
提供所述第一导电框架结构包含提供物理性地连接至所述第二晶粒附接垫的所述第一引线,使得一个所述经结合的导电部分是介于所述第一引线和所述第二晶粒附接垫之间;以及
形成所述导电层包含:
形成所述导电层于所述第一晶粒附接垫和所述第二晶粒附接垫的底表面上;以及
形成所述导电层于所述第一引线和所述第二引线的底表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造