[发明专利]一种提高闪存数据存储可靠性的方法及系统有效

专利信息
申请号: 201710617886.8 申请日: 2017-07-26
公开(公告)号: CN107391300B 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 杨帆;姜黎;彭鹏 申请(专利权)人: 湖南国科微电子股份有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 410100 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 闪存 数据 存储 可靠性 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种提高闪存数据存储可靠性的方法,用于固态硬盘,其特征在于,所述方法包括:

软件纠错模块接收硬件纠错模块发送的第一数据块上的待读取数据,根据软件纠错算法对所述待读取数据进行数据纠错;

当所述待读取数据进入预设纠错步骤、且在所述软件纠错模块纠错成功,将所述第一数据块进行标记;

判断所述第一数据块被标记的次数是否达到预设阈值;

如果所述第一数据块被标记的次数未达到所述预设阈值,将纠错后的所述待读取数据写入第二数据块,以及将除所述待读取数据以外的所述第一数据块上的数据搬移。

2.如权利要求1所述的提高闪存数据存储可靠性的方法,其特征在于,根据软件纠错算法对所述待读取数据进行数据纠错,所述方法还包括:

根据所述软件纠错模块的纠错能力将所述软件纠错模块平均划分为N个纠错步骤,将第M个纠错步骤记为预设纠错步骤,其中,N≥3,1<M<N。

3.如权利要求1所述的提高闪存数据存储可靠性的方法,其特征在于,将除所述待读取数据以外的所述第一数据块上的数据搬移,具体包括:

将除所述待读取数据以外的所述第一数据块上的数据写入所述第二数据块,擦除所述第一数据块的数据。

4.如权利要求2所述的提高闪存数据存储可靠性的方法,其特征在于,所述方法还包括:

当所述待读取数据进入所述第N个纠错步骤、且纠错失败,将所述第一数据块标记为坏块,将完成部分纠错的所述待读取数据以及所述第一数据块除所述待读取数据以外的数据进行搬移。

5.一种提高闪存数据存储可靠性的系统,其特征在于,所述系统包括:

软件纠错模块,用于接收硬件纠错模块发送的第一数据块上的待读取数据,根据软件纠错算法对所述待读取数据进行数据纠错;

标记模块,用于当所述待读取数据进入预设纠错步骤、且在所述软件纠错模块纠错成功,将所述第一数据块进行标记;

阈值比较模块,判断所述第一数据块被标记的次数是否达到预设阈值;

数据搬移模块,用于当所述第一数据块被标记的次数未达到所述预设阈值,将纠错后的待读取数据写入第二数据块,以及将除所述待读取数据以外的所述第一数据块上的数据搬移。

6.如权利要求5所述的提高闪存数据存储可靠性的系统,其特征在于,所述软件纠错模块还包括:

软件纠错子模块,用于根据软件纠错模块的纠错能力将软件纠错模块平均划分为N个纠错步骤,将第M个纠错步骤记为预设纠错步骤,其中,N≥3,1<M<N。

7.如权利要求5所述的提高闪存数据存储可靠性的系统,其特征在于,所述数据搬移模块还包括:

第一数据搬移模块,用于将除所述待读取数据以外的所述第一数据块上的数据写入所述第二数据块,擦除所述第一数据块的数据。

8.如权利要求6所述的提高闪存数据存储可靠性的系统,其特征在于,所述数据搬移模块还包括:

第二数据搬移模块,用于当所述待读取数据进入所述第N个纠错步骤、且纠错失败,将所述第一数据块标记为坏块,将完成部分纠错的所述待读取数据以及所述第一数据块除所述待读取数据以外的数据进行搬移。

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