[发明专利]一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺

说明书

本发明提供一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，包括以下步骤：硅片双面减薄：使用腐蚀液对硅片进行双面腐蚀，去除表面损伤层；扩散前处理：对减薄后的硅片依次进行碱处理、溢水清洗、酸清洗、溢水清洗、甩干；印刷扩散源：采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源；叠片装舟：将硅片硼源面或硼铝源面与硼源面或硼铝源面相对，将磷源面与磷源面相对进行叠片，叠片后放入碳化硅舟中，在前后位置放置挡片。本发明的有益效果是使得在硅片上涂覆扩散源的工艺更加简单，能够实现硅片扩散源涂覆的自动化，节省劳动力，提高了扩散源涂覆的工作效率，且磷源和硼源在硅片上的涂覆一致性好，安全环保。

技术领域

本发明属于硅片制作领域，尤其是涉及一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺。

背景技术

随着半导体技术的发展，对半导体表面钝化的要求越来越高，作为钝化材料，应具备良好的电气性能、可靠性、良好的化学稳定性、可操作性以及经济性。根据上述要求，半导体钝化专用玻璃作为一种较为理想的半导体钝化材料在半导体行业中开始应用。利用半导体钝化专用玻璃制作的芯片称为玻璃钝化芯片(Glass passivation process Chip)，即GPP芯片。

目前，行业内硅片的制作大多会用到扩散工艺形成PN结，目前业内常用的硅片扩散源的涂覆一般采用旋转涂覆的方法，采用旋转涂覆扩散源工艺复杂，且扩散源在硅片表面涂覆不均匀，产品一致性差，劳动成本高。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，使得在硅片上涂覆的扩散源一致性好，且简化了硅片涂源工艺步骤，提高了硅片扩散源涂覆的工作效率。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，包括以下步骤：

1)印刷扩散源：采用丝网印刷技术对扩散前处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源。

进一步的，步骤1)包括以下步骤：

A.印刷磷扩散源：将磷扩散源喷涂在网板上，扩散前处理后的硅片置于网板下方，用刮刀从网板上方以一定角度施加压力，将磷扩散源印刷至硅片表面；

B.将印刷完磷扩散源的硅片置于烘板上，对硅片印有磷扩散源的一面进行烘烤；

C.按照步骤B、步骤C的工艺将液态硼铝扩散源或者液态硼扩散源印刷至硅片的另一面上并进行烘烤；

D.将所述硅片两面喷洒上Al2O3粉末或硅粉。

进一步的，步骤A中所述的刮刀的角度为45°-75°。

进一步的，在印刷扩散源之前对硅片进行扩散前处理。

进一步的，扩散前处理包括依次进行碱处理、溢水清洗、酸清洗、溢水清洗和甩干。

进一步的，在对硅片进行扩散前处理之前对硅片进行减薄处理。

进一步的，减薄处理具体包括以下步骤：

E.将硅片放置于腐蚀液中进行腐蚀；

F.腐蚀结束后，将硅片进行水清洗；

G.测量所述硅片减除量；

H.测量后对所述硅片进行水清洗并甩干。

进一步的，腐蚀液为按照一定的比例混合的硝酸、氢氟酸、冰乙酸和纯水，温度为0-15℃。

进一步的，腐蚀液的混合比例为10-20:5-10:1-10:1-10。

进一步的，印刷扩散源后还进行叠片装舟，具体步骤为：将硅片硼源面或硼铝源面与硼源面或硼铝源面相对，将磷源面与磷源面相对进行叠片装舟。