[发明专利]一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺在审
申请号: | 201710615682.0 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN109308994A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;钟瑜 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/225 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 扩散源 叠片 磷源 硼源 涂覆 丝网印刷技术 硼铝源 印刷 减薄 涂源 溢水 清洗 丝网印刷工艺 表面损伤层 涂覆一致性 安全环保 工作效率 硅片扩散 硅片双面 硼铝扩散 前后位置 双面腐蚀 碳化硅舟 腐蚀液 碱处理 磷扩散 硼扩散 前处理 酸清洗 挡片 放入 甩干 去除 自动化 扩散 | ||
1.一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,其特征在于:包括以下步骤:
1)印刷扩散源:采用丝网印刷技术对扩散前处理后的硅片一面印刷磷扩散源,另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源。
2.根据权利要求1所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,其特征在于:所述步骤1)包括以下步骤:
A.印刷磷扩散源:将磷扩散源喷涂在网板上,所述扩散前处理后的硅片置于所述网板下方,用刮刀从网板上方以一定角度施加压力,将磷扩散源印刷至硅片表面;
B.将印刷完磷扩散源的硅片置于烘板上,对硅片印有磷扩散源的一面进行烘烤;
C.按照步骤B、步骤C的工艺将液态硼铝扩散源或者液态硼扩散源印刷至硅片的另一面上并进行烘烤;
D.将所述硅片两面喷洒上Al2O3粉末或硅粉。
3.根据权利要求2所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,其特征在于:所述步骤A中所述的刮刀的角度为45°-75°。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,其特征在于:在印刷扩散源之前对硅片进行扩散前处理。
5.根据权利要求4所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,其特征在于:所述扩散前处理包括依次进行碱处理、溢水清洗、酸清洗、溢水清洗和甩干。
6.根据权利要求4或5所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,其特征在于:在对硅片进行扩散前处理之前对硅片进行减薄处理。
7.根据权利要求6所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,其特征在于:所述的减薄处理具体包括以下步骤:
E.将硅片放置于腐蚀液中进行腐蚀;
F.腐蚀结束后,将所述硅片进行水清洗;
G.测量所述硅片减除量;
H.测量后对所述硅片进行水清洗并甩干。
8.根据权利要求7所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,其特征在于:所述的腐蚀液为按照一定的比例混合的硝酸、氢氟酸、冰乙酸和纯水,温度为0-15℃。
9.根据权利要求8所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,其特征在于:所述腐蚀液的混合比例为10-20:5-10:1-10:1-10。
10.根据权利要求1-9任一项所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,其特征在于:印刷扩散源后还进行叠片装舟,具体步骤为:将所述硅片硼源面或硼铝源面与硼源面或硼铝源面相对,将磷源面与磷源面相对进行叠片装舟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造