[发明专利]热处理设备和热处理方法

说明书

本发明提供一种热处理设备以及热处理方法，热处理设备用于通过用光照射衬底来热处理衬底。热处理设备包含：台，衬底安放于台上；以及气体喷射模块，其被安置为面对台，且具备经配置以在台安置的方向上导引光的气室以及安置于气室的一个侧面中以将气体供应到气室的第一气体供应源。第一气体供应源包含通路部件，通路部件安装于气体移动到气室所沿着的路径上且经配置以过滤和扩散气体以将气体供应到气室。制程期间由于惰性气体在通过通路部件的同时被过滤，因此朝向衬底喷射不具有不纯粒子的惰性气体，且因此可以防止衬底或薄膜由于惰性气体而带来的污染。

技术领域

本公开涉及热处理(heat treatment)设备和热处理方法，且更具体地说涉及能够防止衬底被污染的热处理设备和热处理方法。

背景技术

当制造液晶显示装置和光伏装置时，涉及用于使非晶形多晶薄膜(例如，非晶形多晶硅薄膜)结晶的热处理过程。此处，当玻璃被用作衬底时，非晶形多晶薄膜可以通过使用激光来结晶。然而，当非晶形多晶薄膜与氧气(O₂)反应时，非晶形多晶薄膜可能被氧化而变为氧化物薄膜。

图1是根据现有技术的激光热处理设备的示意图。参考图1，根据现有技术的激光热处理设备包含：具有空间的处理腔室10，衬底1在所述空间中被处理；透射窗口(transmission window)40，其安置于处理腔室10的上部部分上以允许激光透射通过；以及光源30，其在处理腔室10外部安置于透射窗口40上方以输出激光8。根据所述激光热处理设备，从光源30输出的激光8透射通过透射窗口40，并且然后发射到水平地移动的衬底1上。

如果当沉积在衬底1的顶部表面上的多晶薄膜11结晶时，被激光8照射的衬底1的顶部区域暴露于氧气，那么所述多晶薄膜可能不会变成结晶硅，而是被氧化。

为此目的，应用一种热处理设备，其能够在惰性气体气氛(inert gasatmosphere)中以激光照射衬底1的顶部区域。所述热处理设备包含朝向衬底喷射惰性气体的气体供应源。此处，所述气体供应源包含气体喷射主体，其具有：空的空间，即激光和惰性气体通过的腔室；储槽(tank)，其安装于所述气体喷射主体内且临时存储和容纳惰性气体；以及喷嘴(nozzle)，其在所述主体内将所述储槽连接到所述腔室且将储槽内的惰性气体喷射到所述腔室。并且，在气体喷射主体的下端部分处提供狭缝(slit)，激光和惰性气体通过所述狭缝朝向衬底排出。

因此，当以从光源发射的激光照射安置于衬底上的多晶薄膜时，惰性气体可从气体喷射部分朝向衬底供应以在衬底的表面上产生惰性气氛。

并且，在所述制程期间，或者在所述过程之后和之前，可能将不纯的粒子引入到提供于气体喷射主体中的储槽中，或者可能将含有不纯粒子的气体引入到储槽中。然而，由于被污染的储槽内的惰性气体实际上移动到喷嘴并且然后喷射到衬底，因此衬底可能被惰性气体的不纯粒子污染。

[相关技术文献]

[专利文献]

(专利文献1)第2002-93738号日本专利公开案

发明内容

本公开提供一种热处理设备和热处理方法，其能够防止衬底被污染。

本公开还提供一种热处理设备和热处理方法，其能够在制程期间或当在过程完成之后衬底移动时防止衬底被污染。

根据示范性实施例，一种用于通过用光照射衬底来热处理所述衬底的热处理设备包含：台，所述衬底安放于所述台上；以及气体喷射模块，其被安置为面对所述台，所述气体喷射模块包含经配置以在所述台安置的方向上导引所述光的气室以及安置于所述气室的一个侧面中以将气体供应到所述气室的第一气体供应源，其中所述第一气体供应源包含通路部件，所述通路部件安装于所述气体移动到所述气室所沿着的路径上且经配置以过滤和扩散所述气体以将所述气体供应到所述气室。