[发明专利]热处理设备和热处理方法有效
申请号: | 201710615057.6 | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN107658226B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 沈亨基;金泰俊;崔东奎;张民奎 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 设备 方法 | ||
1.一种热处理设备,用于通过用光照射衬底来热处理所述衬底,其特征在于,所述热处理设备包括:
台,所述衬底安放于所述台上;以及
气体喷射模块,其被安置为面对所述台,所述气体喷射模块包括经配置以在所述台安置的方向上导引所述光的气室以及安置于所述气室的一个侧面中以将气体供应到所述气室的第一气体供应源,
其中所述第一气体供应源包括:
通路部件,所述通路部件安装于所述气体移动到所述气室所沿着的路径上,且所述通路部件经配置以过滤和扩散所述气体以将所述气体供应到所述气室;
第一喷嘴,其与所述气室连通且在一个方向上从所述气室延伸;以及
第一气体供应部分,其连接到所述第一喷嘴以将惰性气体供应到所述第一喷嘴,其中所述第一气体供应部分包括在对应于所述第一喷嘴的方向上延伸且具有内部空间的第一储槽,以及安装于所述第一储槽中的第一气体供应管线,
所述第一储槽具有在所述第一喷嘴安置的方向上的打开部分,多个孔沿所述第一气体供应管线的延伸方向设置于所述第一气体供应管线的外圆周表面上,且与所述第一储槽的所述打开部分相反地配置所述多个孔。
2. 根据权利要求1所述的热处理设备,其中由所述第一气体供应源供应到所述气室的所述气体包括所述惰性气体,其中所述通路部件安装于所述第一气体供应部分的所述气体通过所述第一喷嘴移动到所述气室所沿着的路径的任何一个位置处。
3.根据权利要求2所述的热处理设备,其中所述第一喷嘴将所述第一储槽连接到所述气室以使得所述第一储槽和所述气室彼此连通,且
所述通路部件在所述第一储槽内且在所述第一喷嘴安置的方向上安装。
4.根据权利要求2所述的热处理设备,其中所述通路部件插入到所述第一喷嘴中。
5.根据权利要求1所述的热处理设备,其中所述通路部件在所述气室的内壁上且在所述第一喷嘴安置的方向上安装。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的热处理设备,其中所述通路部件具有多孔类型。
7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的热处理设备,其中所述通路部件具有网状类型。
8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的热处理设备,其包括第二气体供应源,所述第二气体供应源安置于所述气室的另一侧面中以将所述惰性气体供应到所述气室。
9.一种热处理方法,其特征在于,包括:
将衬底装载到处理腔室中且将所述衬底安放于台上;
用光照射所述衬底以热处理所述衬底,且在所述衬底周围喷射惰性气体以防止在所述衬底周围引入氧气和杂质;以及
移动经热处理的所述衬底且将经热处理的所述衬底卸载到所述处理腔室的外部,
其中气体喷射模块安装于所述台上方,所述气体喷射模块包括气室,所述光和所述惰性气体通过所述气室且在所述衬底安置的方向上被导引,
包括通路部件的第一气体供应部分提供于所述气室的一个侧面处,
其中用所述光照射所述衬底以热处理所述衬底期间在所述衬底周围喷射所述惰性气体包括通过所述第一气体供应部分供应所述惰性气体到所述气室,
通过所述第一气体供应部分供应到所述气室的所述惰性气体通过所述通路部件以过滤包含于所述惰性气体中的杂质,且过滤后的所述惰性气体在所述衬底周围喷射,
通过所述第一气体供应部分供应所述惰性气体到所述气室包括:
将所述惰性气体供应到安置于第一储槽中的第一气体供应管线,所述第一储槽安置在所述气室的一个侧面处,其中所述第一储槽具有在面对所述气室的方向上的打开部分;以及
通过界定于所述第一气体供应管线的外圆周表面上与所述第一储槽的所述打开部分相反的位置处的孔排出所述惰性气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造