[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有第一鳍部；

形成覆盖所述第一鳍部侧壁的第一阻挡层；

在所述第一阻挡层之间的第一鳍部中形成第一凹槽，所述第一阻挡层和所述第一鳍部围成所述第一凹槽；

在所述第一凹槽中形成第一内层外延层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料包括：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一阻挡层的步骤包括：在所述第一鳍部顶部和侧壁表面形成第一初始阻挡层；去除所述第一鳍部顶部上的第一初始阻挡层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一鳍部顶部上的第一初始阻挡层的工艺包括各向异性干法刻蚀工艺；形成第一初始阻挡层的工艺包括化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一内层外延层之后，还包括：去除所述第一阻挡层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一阻挡层之后，还包括：在所述第一内层外延层表面形成第一外层外延层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一内层外延层的工艺包括外延生长工艺；形成所述第一外层外延层的工艺包括外延生长工艺。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述第一内层外延层和第一外层外延层用于形成PMOS晶体管的源漏时，所述第一内层外延层的材料为硅或硅锗，所述第一外层外延层的材料为硅或硅锗；当所述第一内层外延层和第一外层外延层用于形成NMOS晶体管的源漏时，所述第一内层外延层的材料为碳化硅或硅，所述第一外层外延层的材料为碳化硅或硅。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一内层外延层的高度为200埃～400埃；所述第一外层外延层的厚度为50埃～150埃，所述第一外层外延层的厚度为第一外层外延层在沿垂直于所述内层外延层表面方向上的尺寸。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为25埃～60埃。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底上还具有第二鳍部，所述第二鳍部与第一鳍部相邻；所述形成方法还包括：在所述第二鳍部中形成第二外延层，所述第二外延层与所述第一内层外延层相邻。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二外延层包括：位于所述第二鳍部中的第二内层外延层；

形成覆盖所述第二鳍部侧壁的第二阻挡层；

形成所述第二外延层的步骤包括：在所述第二阻挡层之间的第二鳍部中形成第二凹槽，所述第二阻挡层围成所述第二凹槽的部分侧壁；在所述第二凹槽中形成第二内层外延层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二外延层还包括：位于所述第二内层外延层表面的第二外层外延层；

形成所述第二外延层的步骤还包括：形成所述第二内层外延层之后，去除所述第二阻挡层；去除所述第二阻挡层之后，在所述第二内层外延层表面形成第二外层外延层。

14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料为氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。