[发明专利]OLED背板的制作方法与OLED面板的制作方法有效

专利信息
申请号: 201710608575.5 申请日: 2017-07-24
公开(公告)号: CN107565063B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 李松杉 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: oled 背板 制作方法 面板
【权利要求书】:

1.一种OLED背板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤S1、提供一TFT基板(10),在所述TFT基板(10)上沉积并图案化形成电极层(21),在所述电极层(21)及TFT基板(10)上涂布一层有机光阻材料,对该层有机光阻材料进行曝光、显影及烘烤后,得到像素定义层(30),所述像素定义层(30)在对应于所述电极层(21)的上方设有像素开口(35),所述像素定义层(30)具有侧表面和上表面,此时所述像素定义层(30)的侧表面具有亲水性,所述像素定义层(30)的上表面具有疏水性,所述电极层(21)的上表面上具有残留光阻(95);

步骤S2、在所述像素定义层(30)上涂布一层普通光阻材料,并通过一道黄光制程对其进行图案化处理,在所述像素定义层(30)上形成保护光阻层(40),以对所述像素定义层(30)的上表面进行保护,所述保护光阻层(40)对应于所述像素定义层(30)的像素开口(35)的上方设有贯穿开口(45),所述贯穿开口(45)完全露出相对应的像素开口(35);

步骤S3、在所述TFT基板(10)上方整面施加氧等离子体,对所述电极层(21)进行氧等离子体处理,去除其上表面上的残留光阻(95),该过程中,被保护光阻层(40)所覆盖的像素定义层(30)的上表面未受到氧等离子体的影响,仍然具有疏水性;

步骤S4、去除像素定义层(30)上的保护光阻层(40),得到OLED背板(1)。

2.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述保护光阻层(40)上贯穿开口(45)的边缘相对于所对应的像素开口(35)的边缘向外扩张0-3微米,从而完全露出所对应的像素开口(35)。

3.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中,通过利用第一掩膜板(81)对有机光阻材料曝光,该第一掩膜板(81)上具有用于形成像素开口(35)的第一图形(811)。

4.如权利要求3所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述步骤S2中通过一道黄光制程图案化形成所述保护光阻层(40)的具体过程为:在所述像素定义层(30)上涂布一层普通光阻材料后,提供第二掩膜板(82),该第二掩膜板(82)上具有用于形成贯穿开口(45)的第二图形(821),利用该第二掩膜板(82)对该层普通光阻材料进行曝光,然后对曝光后的普通光阻材料进行显影、烘烤,得到保护光阻层(40)。

5.如权利要求4所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述第二图形(821)的形状与所述第一图形(811)的形状相对应,所述第二图形(821)的边缘到中心点的距离比所述第一图形(811)上相应边缘到中心点的距离大1-3μm。

6.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中所涂布的有机光阻材料包含亚克力。

7.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中所形成的电极层(21)的材料为氧化铟锡。

8.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述电极层(21)用于构成OLED器件,所述电极层(21)用作OLED器件的阳极或阴极。

9.一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:按照如权利要求1-8中任一项所述的OLED背板的制作方法制得OLED背板(1),采用喷墨打印的方式在所述OLED背板(1)的像素开口(35)内形成有机功能层,所述有机功能层为OLED器件的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、或电子注入层。

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