[发明专利]OLED背板的制作方法与OLED面板的制作方法有效
申请号: | 201710608575.5 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107565063B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 背板 制作方法 面板 | ||
1.一种OLED背板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1、提供一TFT基板(10),在所述TFT基板(10)上沉积并图案化形成电极层(21),在所述电极层(21)及TFT基板(10)上涂布一层有机光阻材料,对该层有机光阻材料进行曝光、显影及烘烤后,得到像素定义层(30),所述像素定义层(30)在对应于所述电极层(21)的上方设有像素开口(35),所述像素定义层(30)具有侧表面和上表面,此时所述像素定义层(30)的侧表面具有亲水性,所述像素定义层(30)的上表面具有疏水性,所述电极层(21)的上表面上具有残留光阻(95);
步骤S2、在所述像素定义层(30)上涂布一层普通光阻材料,并通过一道黄光制程对其进行图案化处理,在所述像素定义层(30)上形成保护光阻层(40),以对所述像素定义层(30)的上表面进行保护,所述保护光阻层(40)对应于所述像素定义层(30)的像素开口(35)的上方设有贯穿开口(45),所述贯穿开口(45)完全露出相对应的像素开口(35);
步骤S3、在所述TFT基板(10)上方整面施加氧等离子体,对所述电极层(21)进行氧等离子体处理,去除其上表面上的残留光阻(95),该过程中,被保护光阻层(40)所覆盖的像素定义层(30)的上表面未受到氧等离子体的影响,仍然具有疏水性;
步骤S4、去除像素定义层(30)上的保护光阻层(40),得到OLED背板(1)。
2.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述保护光阻层(40)上贯穿开口(45)的边缘相对于所对应的像素开口(35)的边缘向外扩张0-3微米,从而完全露出所对应的像素开口(35)。
3.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中,通过利用第一掩膜板(81)对有机光阻材料曝光,该第一掩膜板(81)上具有用于形成像素开口(35)的第一图形(811)。
4.如权利要求3所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述步骤S2中通过一道黄光制程图案化形成所述保护光阻层(40)的具体过程为:在所述像素定义层(30)上涂布一层普通光阻材料后,提供第二掩膜板(82),该第二掩膜板(82)上具有用于形成贯穿开口(45)的第二图形(821),利用该第二掩膜板(82)对该层普通光阻材料进行曝光,然后对曝光后的普通光阻材料进行显影、烘烤,得到保护光阻层(40)。
5.如权利要求4所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述第二图形(821)的形状与所述第一图形(811)的形状相对应,所述第二图形(821)的边缘到中心点的距离比所述第一图形(811)上相应边缘到中心点的距离大1-3μm。
6.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中所涂布的有机光阻材料包含亚克力。
7.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中所形成的电极层(21)的材料为氧化铟锡。
8.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,所述电极层(21)用于构成OLED器件,所述电极层(21)用作OLED器件的阳极或阴极。
9.一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:按照如权利要求1-8中任一项所述的OLED背板的制作方法制得OLED背板(1),采用喷墨打印的方式在所述OLED背板(1)的像素开口(35)内形成有机功能层,所述有机功能层为OLED器件的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、或电子注入层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择