[发明专利]传送装置、基板离子植入系统以及方法

说明书

本发明公开了一种传送装置、基板离子植入系统以及方法。该系统包括：基板承台和与基板承台连接的离子植入装置，基板可从基板承台进入离子植入装置；离子植入装置包括操作腔，基板可通过离子植入装置被传送至操作腔中进行离子植入；传送腔，用于将进行离子植入后的基板回传至基板承台。通过上述方式，本发明能够提高离子植入系统的产能。

技术领域

本发明涉及显示面板制造领域，特别是涉及一种传送装置、基板离子植入系统以及方法。

背景技术

在OLED(有机发光二极管)制备工艺中，TFT(薄膜晶体管)背板的沟道层半导体材料主要有非晶硅(a-Si)、微晶硅(u-Si)、低温多晶硅(LTPS)、单晶硅、有机物和氧化物等。应用于OLED中最成熟的TFT背板技术是低温多晶硅(LTPS)技术。

TFT背板技术应用的低温多晶硅(LTPS)技术，为了制备多晶硅沟道层，工艺流程中通过离子植入在玻璃基板上沉积非晶硅，而后采用激光或者非激光的方式使非晶硅薄膜吸收能量，原子重新排列以形成多晶硅结构。

目前，OLED的LTPS产业中的离子植入设备最大尺寸为G6代玻璃尺寸设备，随着OLED的发展，LTPS技术将会应用在大尺寸显示屏领域，这就需要OLED的LTPS技术应用到尺寸更大的玻璃基板上，目前的离子植入设备应用到大尺寸玻璃基板上会导致破片率高，并且产能较低。

发明内容

有鉴于此，本发明主要解决的技术问题是提供一种传送装置、基板离子植入系统以及方法，能够提高离子植入系统的产能。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种传送装置，该传送装置包括：

第一导轨、第二导轨以及承载台，第一导轨和第二导轨平行对称设置于承载台的两侧；

第一导轨和第二导轨分别设有第一磁极组，承载台设有第二磁极组，第二磁极组与第一磁极组对应设置，可通过改变第一磁极组与第二磁极组之间的磁性作用进行驱动承载台在导轨延伸方向上往复移动。

为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种基板离子植入系统，该系统包括：

基板承台；与基板承台连接的离子植入装置，基板可从基板承台进入离子植入装置；离子植入装置包括操作腔，基板可通过离子植入装置被传送至操作腔中进行离子植入；传送腔，用于将进行离子植入后的基板回传至基板承台。

为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种基板离子植入的方法，该方法包括：利用上述实施例中的基板离子植入系统进行离子植入，将基板从基板承台搬运至离子植入装置；在离子植入装置中对基板进行离子植入；利用传送腔将进行离子植入后的基板回传至基板承台。

本发明的有益效果是：相比于现有技术对基板进行离子植入时需要将基板竖起，而且在真空手臂将基板在操作腔和传送腔之间传递时占用操作腔，本发明的离子植入系统包括传送腔，传送腔将进行离子植入后的基板回传，减少占用操作腔的时间，能够提高离子植入系统的产能。

附图说明

图1是本发明传送装置一实施例的结构示意图；

图2是图1所示传送装置侧视结构的结构示意图；

图3是本发明支撑体一实施例的结构示意图；

图4是本发明支撑体另一实施例的结构示意图；

图5是本发明基板离子植入系统一实施例的结构示意图；

图6是本发明基板离子植入方法一实施例的流程示意图；

图7是图6所示方法对应的基板离子植入系统的结构示意图。

具体实施方式