[发明专利]传送装置、基板离子植入系统以及方法有效

专利信息
申请号: 201710607786.7 申请日: 2017-07-24
公开(公告)号: CN107437522B 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 谢锐 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677;H01L21/67;H01L21/265;H01L21/77;H01L51/56
代理公司: 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 钟子敏<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 传送 装置 离子 植入 系统 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种基板离子植入系统,其特征在于,所述系统包括:

基板承台;

离子植入装置,所述离子植入装置与所述基板承台连接,基板可从所述基板承台进入所述离子植入装置;

所述离子植入装置包括操作腔,基板可通过所述离子植入装置被传送至所述操作腔中进行离子植入;

传送腔,用于将进行离子植入后的基板回传至所述基板承台;

所述基板承台与所述离子植入装置以及所述传送腔分别通过第一搬运机构连接,所述第一搬运机构用于将基板从所述基板承台搬运至所述离子植入装置,并且将从所述传送腔回传的基板搬运至所述基板承台;

所述离子植入装置的远离所述基板承台一端与所述传送腔的远离所述基板承台一端之间设有第二搬运机构,所述第二搬运机构用于将基板从所述离子植入装置搬运至所述传送腔中,进而使传送腔将基板回传至所述基板承台。

2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,

所述离子植入装置进一步包括第一交换腔、第二交换腔、第一缓冲腔组以及第二缓冲腔组,所述第一交换腔设置于所述离子植入装置的靠近所述第一搬运机构一端,所述第二交换腔设置于所述离子植入装置的靠近所述第二搬运机构一端;

所述第一缓冲腔组以及所述第二缓冲腔组分别包括至少两组缓冲腔单元,所述第一缓冲腔组设置于所述第一交换腔与所述操作腔之间,所述第二缓冲腔组设置于所述第二交换腔与所述操作腔之间。

3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,

所述第一交换腔与所述第一搬运机构之间通过闸式阀门连接,所述第二交换腔与所述第二搬运机构之间通过闸式阀门连接,所述第一交换腔与所述第一缓冲腔组之间通过闸式阀门连接,所述第二交换腔与所述第二缓冲腔组之间通过闸式阀门连接,所述第一缓冲腔组中的各组缓冲腔单元之间通过闸式阀门连接,所述第二缓冲腔组中的各组缓冲腔单元之间通过闸式阀门连接。

4.根据权利要求3所述的系统,其特征在于,所述第一交换腔、所述第二交换腔、所述第一缓冲腔组中的缓冲腔单元以及所述第二缓冲腔组中的缓冲腔单元均为真空腔体。

5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述离子植入装置以及所述传送腔分别包括传送装置,所述传送装置设于所述离子植入装置以及所述传送腔的底部,用于在不同腔室以及工位之间传送基板。

6.根据权利要求5所述的系统,其特征在于,所述传送装置包括:第一导轨、第二导轨以及承载台,所述第一导轨和所述第二导轨平行对称设置于所述承载台的两侧;

所述第一导轨和所述第二导轨分别设有第一磁极组,所述承载台设有第二磁极组,所述第二磁极组与所述第一磁极组对应设置,可通过改变所述第一磁极组与所述第二磁极组之间的磁性作用进行驱动所述承载台在导轨延伸方向上往复移动。

7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述承载台进一步包括一支撑体,所述支撑体上设有第三磁极组;

所述第三磁极组与所述第一磁极组的顶部对应设置,所述第三磁极组与所述第一磁极组的磁性相同,以用于控制所述承载台与所述第一导轨以及所述第二导轨在竖直方向上的间隙;

或者所述第三磁极组与所述第一磁极组的底部对应设置,所述第三磁极组与所述第一磁极组的磁性相反,以用于控制所述承载台与所述第一导轨以及所述第二导轨在竖直方向上的间隙。

8.一种利用权利要求1-7任一项所述基板离子植入系统进行基板离子植入的方法,其特征在于,所述方法包括:

将基板从基板承台搬运至离子植入装置;

在所述离子植入装置中对所述基板进行离子植入;

利用传送腔将进行离子植入后的基板回传至所述基板承台。

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