[发明专利]一种增强金刚石热导率的方法有效
| 申请号： | 201710607290.X | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107400923B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;赵继文;代兵;杨磊;韩杰才;舒国阳;刘康;高鸽;吕致君;姚凯丽;王强;刘本建 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/04;C23C16/27;C23C16/01;C23C16/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 金刚石 热导率 方法 | ||
1.一种增强金刚石热导率的方法，其特征在于是按以下步骤实现：
一、对硅片进行切割，然后分别置于无水乙醇和去离子水中进行超声清洗，得到洁净的硅片基底；
二、对洁净的硅片基底进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点，得到带有辅助形核点的硅片；
三、将带有辅助形核点的硅片放置于CVD装置中，真空度抽至10-4Pa以下，通入生长气体氢气与甲烷，调节氢气流量为180sccm，甲烷流量为20sccm，升温至850℃进行多晶生长，得到带有硅基底的多晶金刚石片；
四、利用HNO3与HF混合溶液对带有硅基底的多晶金刚石片进行腐蚀，去掉硅基底，清洗后得到自支撑多晶金刚石片；
五、将骤四中得到的自支撑多晶金刚石片形核面向上，放置于CVD装置中，以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长，得到增强热导率的多晶金刚石片；
其中步骤二采用纳米金刚石粉、金刚石悬浮液或金刚石研磨膏对硅片进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点。
2.根据权利要求1所述的一种增强金刚石热导率的方法，其特征在于步骤一中硅片的厚度为0.5～1.5mm。
3.根据权利要求1所述的一种增强金刚石热导率的方法，其特征在于步骤一中硅片为圆片，圆硅片的直径为25～50mm。
4.根据权利要求1所述的一种增强金刚石热导率的方法，其特征在于步骤三控制CVD装置中沉积室的气压为80～150mBar。
5.根据权利要求1所述的一种增强金刚石热导率的方法，其特征在于步骤三得到的多晶金刚石片的厚度为50～500μm。
6.根据权利要求1所述的一种增强金刚石热导率的方法，其特征在于步骤四HNO3与HF混合溶液中HNO3与HF的体积比为1:1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710607290.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种石英坩埚涂层及其制备方法和用途
- 下一篇：一种单晶硅生长炉电极升降机构
