[发明专利]一种焊盘、半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有至少一个用于半导体器件的焊盘，所述焊盘包括：焊盘本体和位于所述焊盘本体边缘的若干焊盘侧墙，所述焊盘侧墙间隔分布在所述焊盘本体的外周上；相邻的所述焊盘上的所述焊盘侧墙交错分布，以增大相邻的所述焊盘之间的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘上的相邻的所述焊盘侧墙的间距大于等于3um。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘侧墙长度为1um～2um。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘侧墙的宽度为3um～5um。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：形成在所述半导体衬底上的第一钝化层，在所述第一钝化层中形成有暴露下方金属层的第一开口，所述焊盘本体位于所述第一开口中并与所述金属层电连接，所述焊盘侧墙位于所述第一钝化层表面上。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一钝化层上形成有第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述焊盘侧墙并具有暴露所述焊盘本体的第二开口。

7.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成至少一个用于半导体器件的焊盘，所述焊盘包括焊盘本体和位于所述焊盘本体边缘的焊盘侧墙，所述焊盘侧墙间隔分布在所述焊盘本体的外周上；相邻的所述焊盘上的所述焊盘侧墙交错分布，以增大相邻的所述焊盘之间的距离。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述焊盘的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成第一钝化层，并在所述第一钝化层中形成暴露下方金属层的第一开口；

形成填充所述第一开口并覆盖所述第一钝化层的金属材料层；

图形化所述金属材料层以形成焊盘；

其中，所述焊盘本体形成在所述第一开口中，所述焊盘侧墙形成在所述第一钝化层的表面上。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第一钝化层上形成第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述焊盘侧墙并具有暴露所述焊盘本体的第二开口。

10.根据权利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，同一个所述焊盘上的相邻的所述焊盘侧墙的间距大于等于3um。

11.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中的任意一项所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。