[发明专利]发光结构、显示装置及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及发光结构、显示装置及其制作方法。

背景技术

随着显示设备的发展，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)因具有自发光、广视角、高对比度、低耗电以及高反应速度等优点，而被广泛应用于显示技术领域，如应用于手机、数码相机、DVD机等显示设备。

对于某些便携式的OLED电子显示设备，如手机、手表等，由于显示设备的电量存储能力有限，显示设备的带电时间较短，因此上述问题的存在对显示设备的功耗节能提出了要求，开发具有低功耗的OLED显示设备是显示设备发展的一个重要方向。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种发光结构，可以在较低的控制电压下获得较强的光源亮度，具有低功耗、带电时间长等优点。

一方面，提供了一种发光结构，包括层叠设置的薄膜晶体管和有机发光二极管结构层；

所述薄膜晶体管设置有光敏半导体层，所述光敏半导体层将从所述有机发光二极管结构层接收的光线转换成增强电流，所述增强电流用于增大由所述薄膜晶体管输出至所述有机发光二极管结构层的控制电流。

进一步地，所述薄膜晶体管为垂直薄膜晶体管；

所述光敏半导体层形成在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间。

进一步地，所述垂直薄膜晶体管的漏极和所述有机发光二极管结构层的阳极为共电极结构。

进一步地，所述发光结构包括柔性衬底基板；所述垂直薄膜晶体管还包括层叠设置在所述柔性衬底基板上的栅极、栅极绝缘层和漏极绝缘层；

所述源极形成在所述栅极绝缘层上，所述漏极绝缘层形成在所述漏极上。

进一步地，所述栅极、所述源极和所述漏极分别为单层石墨烯层。

进一步地，所述发光结构包括柔性衬底基板；所述柔性衬底基板上形成有阵列排布的所述薄膜晶体管和所述有机发光二极管结构层。

进一步地，所述光敏半导体层为PDPPTzBT材料层、PQBOC8材料层或P3HT材料层。

另一方面，提供了一种显示装置，包括上述的发光结构。

另一方面，提供了一种制作上述的发光结构的方法，包括：

形成薄膜晶体管，形成的所述薄膜晶体管包括光敏半导体层；

在所述薄膜晶体管上形成有机发光二极管结构层。

进一步地，所述薄膜晶体管为垂直薄膜晶体管时，所述形成薄膜晶体管，形成的所述薄膜晶体管包括光敏半导体层包括：

选取柔性衬底基板；

在所述柔性衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层和源极；

在所述源极上形成所述光敏半导体层；

在所述薄膜半导体层上依次形成漏极和漏极绝缘层。

进一步地，所述薄膜晶体管为垂直薄膜晶体管时，所述在所述薄膜晶体管上形成有机发光二极管结构层包括：

将所述有机发光二极管结构层的阳极与所述垂直薄膜晶体管的漏极同层设置，形成共电极结构。

与现有技术相比，本发明包括以下优点：

本发明提供了一种发光结构、显示装置及其制作方法。本发明提供的发光结构中，在柔性基板上层叠设置有薄膜晶体管和有机发光二极管结构层，薄膜晶体管内设置有光敏半导体层，光敏半导体层将从有机发光二极管结构层接收的光线转换成增强电流，以增大由所述薄膜晶体管输出至所述有机发光二极管结构层的控制电流，提高有机发光二极管结构层的发光亮度，因此本发明实施例提供的发光组件可以在较低的控制电压下获得较强的光源亮度，具有低功耗、带电时间长等优点。

本发明实施例优选垂直薄膜晶体管形成发光结构，垂直薄膜晶体管的漏极和有机发光二极管结构层的阳极可以同层设置，形成共电极结构，从而简化了发光结构的层结构，减小了发光结构的体积，降低了生产成本。同时共电极结构的设置也提高了发光结构的工作效率，提高了发光结构的性能。

基于本发明实施例提供的发光结构的结构组成及材料选择，使得该发光结构还具有柔性、超薄、轻质、透明电子等特性，因此该发光结构便于携带，可应用于便携式显示设备的制备。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种发光结构的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种发光结构的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的阵列排布的发光结构的结构示意图。

图4是本发明实施例提供的制作发光结构的方法流程图；

图5-图7是本发明实施例在制作图1所示的发光结构的过程中的结构示意图。

附图标记