[发明专利]发光结构、显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种发光结构，其特征在于，包括层叠设置的薄膜晶体管和有机发光二极管结构层；

所述薄膜晶体管设置有光敏半导体层，所述光敏半导体层将从所述有机发光二极管结构层接收的光线转换成增强电流，所述增强电流用于增大由所述薄膜晶体管输出至所述有机发光二极管结构层的控制电流。

2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述薄膜晶体管为垂直薄膜晶体管；

所述光敏半导体层形成在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间。

3.根据权利要求2所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构包括柔性衬底基板；所述垂直薄膜晶体管还包括层叠设置在所述柔性衬底基板上的栅极、栅极绝缘层和漏极绝缘层；

所述源极形成在所述栅极绝缘层上，所述漏极绝缘层形成在所述漏极上。

4.根据权利要求2所述的发光结构，其特征在于，所述垂直薄膜晶体管的漏极和所述有机发光二极管结构层的阳极为共电极结构。

5.根据权利要求4所述的发光结构，其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极分别为单层石墨烯层。

6.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构包括柔性衬底基板；所述柔性衬底基板上形成有阵列排布的所述薄膜晶体管和所述有机发光二极管结构层。

7.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述光敏半导体层为PDPPTzBT材料层、PQBOC8材料层或P3HT材料层。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～7所述的发光结构。

9.一种制作如权利要求1-7任一项所述的发光结构的方法，其特征在于，包括：

形成薄膜晶体管，形成的所述薄膜晶体管包括光敏半导体层；

在所述薄膜晶体管上形成有机发光二极管结构层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为垂直薄膜晶体管时，所述形成薄膜晶体管，形成的所述薄膜晶体管包括光敏半导体层包括：

选取柔性衬底基板；

在所述柔性衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层和源极；

在所述源极上形成所述光敏半导体层；

在所述薄膜半导体层上依次形成漏极和漏极绝缘层。