[发明专利]超级结的制造方法在审
申请号: | 201710600068.7 | 申请日: | 2017-07-21 |
公开(公告)号: | CN107611030A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 钱文生 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超级 制造 方法 | ||
1.一种超级结的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、提供具有第一导电类型均匀掺杂的第一外延层,采用光刻刻蚀工艺在所述第一外延层中形成超级结的沟槽,所述沟槽呈上宽下窄侧面倾斜的倒梯形结构,各所述沟槽之间的所述第一外延层组成漂移区薄层;
步骤二、进行多角度的多次离子注入,各次所述离子注入从所述沟槽的侧面将第一导电类型杂质注入到所述漂移区薄层中;利用注入角度越小所述离子注入的注入位置所覆盖的所述漂移区薄层的纵向范围越大的特点,通过一系列的注入角度的设置,使通过所述离子注入工艺注入到所述漂移区薄层中的杂质量从所述沟槽的底部往上逐渐增加;
步骤三、在所述沟槽中填充第二导电类型的第二外延层,由填充于所述沟槽中的所述第二外延层组柱状薄层,由所述柱状薄层和所述漂移区薄层交替排列组成所述超级结;所述第二外延层为在位均匀掺杂,步骤二中的所述离子注入的杂质用于抵消所述沟槽的倒梯形结构形成的所述柱状薄层和所述漂移区薄层之间的电荷失配,实现超级结的电荷自动匹配。
2.如权利要求1所述的超级结的制造方法,其特征在于:步骤二的所述离子注入之后还包括退火激活工艺。
3.如权利要求2所述的超级结的制造方法,其特征在于:所述退火激活工艺为快速热退火或炉管退火。
4.如权利要求1所述的超级结的制造方法,其特征在于:步骤二中所述离子注入的注入角度的划分越细越好,注入次数越多越好。
5.如权利要求4所述的超级结的制造方法,其特征在于:所述离子注入的注入角度注入角度从5度开始,最大10度一个台阶逐渐增大,直至离子注入机的极限角度。
6.如权利要求4或5所述的超级结的制造方法,其特征在于:所述离子注入中的每一个注入角度对应注入次数为一次。
7.如权利要求4或5所述的超级结的制造方法,其特征在于:各次所述离子注入的注入剂量相同或不同,各次所述离子注入的注入能量相同或不同。
8.如权利要求7所述的超级结的制造方法,其特征在于:各次所述离子注入使对应的所述漂移区薄层的注入区域的杂质体浓度的增加值不超过为注入前的所述第一外延层的杂质体浓度的一倍。
9.如权利要求1所述的超级结的制造方法,其特征在于:所述超级结用于形成N型超级结器件,所述第一导电类型为N型,第二导电类型为P型,所述漂移区薄层为N型薄层,所述柱状薄层为P型薄层,所述离子注入的注入杂质为磷或砷。
10.如权利要求1所述的超级结的制造方法,其特征在于:所述超级结用于形成P型超级结器件,所述第一导电类型为P型,第二导电类型为N型,所述漂移区薄层为P型薄层,所述柱状薄层为N型薄层,所述离子注入的注入杂质为硼。
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