[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201710595628.4 | 申请日: | 2017-07-20 |
| 公开(公告)号: | CN107168589B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
| 发明(设计)人: | 卢峰;重村幸治 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
| 地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 面板 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括在显示面板中,其特征在于,所述显示基板包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域,所述周边区域内设置有多个压力传感器,所述压力传感器用于检测施加在所述显示面板上的压力的大小,所述压力传感器的材质为多晶硅,在垂直于所述显示基板的方向上,所述压力传感器所在膜层下方直接设置有第一膜层,上方直接设置有第二膜层,所述第一膜层和所述第二膜层中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量;
其中,所述第一膜层和所述第二膜层的杨氏模量均大于氧化硅的杨氏模量;所述第一膜层和所述第二膜层的材质均为氮化硅;
所述显示区域内设置有多晶硅层、第一氧化硅层、第二氧化硅层、第一氮化硅层和第二氮化硅层,其中,在垂直于所述显示基板的方向上,所述第一氮化硅层、所述第一氧化硅层、所述多晶硅层、所述第二氧化硅层和所述第二氮化硅层依次紧邻设置;
所述压力传感器所在膜层和所述多晶硅层所在膜层为同一膜层;
所述第一膜层与所述第一氮化硅层为同一膜层;
所述第二膜层与所述第二氮化硅层为同一膜层。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一膜层与所述第一氮化硅层厚度相同,所述第二膜层与所述第二氮化硅层厚度相同。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层的总厚度与所述第一膜层的厚度相同;所述第二氮化硅层和所述第二氧化硅层的总厚度与所述第二膜层的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述压力传感器的厚度为50~75nm。
5.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1~4任一项所述的显示基板。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求5所述的显示面板。
7.一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括在显示面板中,其特征在于,包括:
将所述显示基板划分为显示区域和围绕所述显示区域的周边区域;
在所述周边区域内形成第一膜层;
在形成所述第一膜层的所述周边区域内,直接形成多个压力传感器,所述压力传感器用于检测施加在所述显示面板上的压力的大小,所述压力传感器的材质为多晶硅;
在形成多个所述压力传感器的所述周边区域内,直接形成第二膜层;
其中,所述第一膜层和所述第二膜层中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量;
其中,所述第一膜层和所述第二膜层的杨氏模量均大于氧化硅的杨氏模量;所述第一膜层和所述第二膜层的材质均为氮化硅;
所述显示基板的制作方法还包括:
在所述显示区域内形成第一氮化硅层;
在形成所述第一氮化硅层的所述显示区域内,直接形成第一氧化硅层;
在形成所述第一氧化硅层的所述显示区域内,直接形成多晶硅层;
在形成所述多晶硅层的所述显示区域内,直接形成第二氧化硅层;
在形成所述第二氧化硅层的所述显示区域内,直接形成第二氮化硅层;
其中,所述多晶硅层和多个所述压力传感器同时形成;
在所述周边区域内形成第一膜层,在所述显示区域内形成第一氮化硅层具体包括:
在所述显示基板的所述周边区域和所述显示区域内同时形成一层氮化硅,其中,位于所述周边区域内的氮化硅作为所述第一膜层,位于所述显示区域内的氮化硅作为所述第一氮化硅层,所述第一膜层和所述第一氮化硅层的厚度相同,或者,对位于所述显示区域内的氮化硅进行刻蚀,直至氮化硅的厚度减小量为所述第一氧化硅层的厚度,形成所述第一氮化硅层;
在所述周边区域内形成第二膜层,在所述显示区域内形成第二氮化硅层具体包括:
在所述显示基板的所述周边区域和所述显示区域内同时形成一层氮化硅,其中,位于所述周边区域内的氮化硅作为所述第二膜层,位于所述显示区域内的氮化硅作为所述第二氮化硅层,所述第二膜层和所述第二氮化硅层的厚度相同,或者,对位于所述显示区域内的氮化硅进行刻蚀,直至氮化硅的厚度减小量为所述第二氧化硅层的厚度,形成所述第二氮化硅层。
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