[发明专利]碳化硅功率器件终端及其制作方法

权利要求书

1.一种碳化硅功率器件终端，其中，包括：

第一重掺杂类型或第二重掺杂类型SiC衬底；

第一轻掺杂类型SiC外延层，生长在所述第一重掺杂类型或第二重掺杂类型SiC衬底上；

具有凹槽结构的第二重掺杂类型主结和第一掺杂类型截止环，形成在所述第一轻掺杂类型SiC外延层顶部；以及

至少一个第二重掺杂类型分压沟槽，形成在所述第二重掺杂类型主结和第一掺杂类型截止环之间。

2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件终端，其中，所述第二重掺杂类型分压沟槽一侧设置第一掺杂类型场限环，另一侧设置第二掺杂类型场限环。

3.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件终端，其中，所述第二重掺杂类型分压沟槽的深度大于其两侧场限环的深度。

4.根据权利要求1-3中任一所述的碳化硅功率器件终端，其中，还包括：

钝化层，设置在所述第一轻掺杂类型SiC外延层顶部上并填充所述第二重掺杂类型主结的凹槽结构以及所述第二重掺杂类型分压沟槽。

5.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件终端，其中，所述第一掺杂类型为N形或P型，第二掺杂类型为P形或N型。

6.一种碳化硅功率器件终端的制作方法，其中，包括：

在第一重掺杂类型或第二重掺杂类型SiC衬底上生长第一轻掺杂类型SiC外延层；

在第一轻掺杂类型SiC外延层顶部形成具有凹槽结构的第二重掺杂类型主结、第一掺杂类型截止环以及位于第二重掺杂类型主结和第一掺杂类型截止环之间的至少一个第二重掺杂类型分压沟槽。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其中，在第一轻掺杂类型SiC外延层顶部形成具有凹槽结构的第二重掺杂类型主结、第一掺杂类型截止环以及位于第二重掺杂类型主结和第一掺杂类型截止环之间的至少一个第二重掺杂类型分压沟槽包括：

采用刻蚀工艺在第一轻掺杂类型SiC外延层顶部形成多个凹槽分别对应第二重掺杂类型主结和第二重掺杂类型分压沟槽；

将第二掺杂类型离子注入所述多个凹槽的底部和侧壁形成第二重掺杂类型主结和第二重掺杂类型分压沟槽；

将第一掺杂类型离子注入截止环注入区形成第一掺杂类型截止环。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其中，还包括：

在完成第一掺杂类型离子和第二掺杂类型离子注入后进行激活退火。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其中，还包括：将第一掺杂类型离子和第二掺杂类型离子分别注入第二重掺杂类型分压沟槽两侧形成第一掺杂类型场限环和第二掺杂类型场限环。

10.根据权利要求6所述的制作方法，其中，还包括：

沉积钝化层于所述第一轻掺杂类型SiC外延层顶部上并填充所述第二重掺杂类型主结的凹槽结构以及所述第二重掺杂类型分压沟槽。