[发明专利]位移检测装置

说明书

技术领域

本发明涉及位移检测装置。

背景技术

作为以往技术，提出了以下的位移检测装置(例如，参照专利文献1)，该位移检测装置中，为了减少外部干扰噪声带来的影响，使用差动式的磁检测元件检测与检测对象的位移相应的磁场变化，检测出检测对象的位移。

专利文献1中公开的位移检测装置具有：具有多磁极列的磁铁、和相对于该磁铁的多磁极列面进行平行移动的第1及第2传感器器件，第1及第2传感器器件构成电桥电路，基于与位移相应而从电路输出的信号检测位置。该位移检测装置使用作为检测对象的具有多磁极列的磁铁，将检测对象形成的磁场的范围扩展，从而可以使磁检测元件能够检测的位移的范围比磁检测元件的间距宽。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-257432号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，专利文献1所示的位移检测装置由于需要使用与单磁极的磁铁相比高价的具有多磁极列的磁铁，因此存在成本增加的问题。

因此，本发明的目的在于，提供减少外部干扰噪声对要检测的磁场带来的影响、并且使利用单磁极的磁铁能够检测的范围比磁检测元件的间距宽的位移检测装置。

解决问题的方案

对于本发明的一形态，为了实现上述目的，提供以下的位移检测装置。

技术方案1的位移检测装置具有：

磁铁，其在一个方向进行位移且为棒状，并具有长度方向与所述一个方向成预定角度的形状；以及

传感器，其以预定间隔成对地配置磁检测元件组，该传感器输出该磁检测元件组的输出之差，该磁检测元件组在与所述一个方向正交的方向上对所述磁铁形成的磁场的磁通密度进行检测。

技术方案2是如技术方案1所述的位移检测装置，其中，

所述传感器的所述磁检测元件组中包含的磁检测元件的敏感方向为与所述一个方向正交的第一方向，所述传感器具有磁集中器，该磁集中器将与所述一个方向及所述第一方向正交的第二方向的磁通变换成所述第一方向的磁通。

技术方案3是如技术方案2所述的位移检测装置，其中，

所述传感器将所述磁检测元件组中包含的磁检测元件的输出相加来检测所述第一方向的磁通密度，通过取得所述磁检测元件组中包含的磁检测元件的输出之差来检测所述第二方向的磁通密度。

技术方案4是如技术方案1至3中任一项所述的位移检测装置，其中，

所述磁铁的磁化方向为与所述一个方向正交的方向。

发明效果

根据技术方案1的发明，可以减少外部干扰噪声对要检测的磁场带来的影响、并且使利用单磁极的磁铁能够检测的范围比磁检测元件的间距宽。

根据技术方案2的发明，可以使用具有磁集中器的传感器，该传感器的磁检测元件组中包含的磁检测元件的敏感方向为与一个方向正交的第一方向，该磁集中器将与一个方向及第一方向正交的第二方向的磁通变换为第一方向的磁通。

根据技术方案3的发明，可以将磁检测元件组中包含的磁检测元件的输出相加来检测第一方向的磁通密度，通过取得磁检测元件组中包含的磁检测元件的输出之差来检测第二方向的磁通密度。

根据技术方案4的发明，可以使用磁化方向为与一个方向正交的方向的磁铁。

附图说明

图1是表示第1实施方式的位移检测装置的构成例的立体图。

图2中(a)及(b)是表示位移检测装置的构成的俯视图及侧视图。

图3中(a)及(b)是表示传感器IC的构成的一例的俯视图及侧视图。

图4是用于说明位移检测装置的传感器IC的动作的概略图。

图5是表示传感器IC得到输出ΔV_x的情况下的电路的概略图。

图6是表示传感器IC得到输出ΔV_z的情况下的电路的概略图。

图7中(a)-(c)分别是表示磁铁的位移的概略俯视图、表示由磁铁形成的磁场的状况的概略主视图及表示从差动电路输出的输出值的曲线图。

图8中(a)-(c)分别是表示磁铁的位移的概略俯视图、表示由磁铁形成的磁场的状况的概略主视图及表示从差动电路输出的输出值的曲线图。

图9中(a)-(c)分别是表示磁铁的位移的概略俯视图、表示由磁铁形成的磁场的状况的概略主视图及表示从差动电路输出的输出值的曲线图。

图10是表示第2实施方式的位移检测装置的构成例的立体图。