[发明专利]一种异形薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201710592687.6 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107342328A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 曹占锋;王久石;卢鑫泓;赵磊;刘清召;路达;王国强;董水浪;王珂 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异形 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 | ||
1.一种异形薄膜晶体管，包括薄膜晶体管，其特征在于，所述异形薄膜晶体管还包括形成在衬底基板的凸块，所述凸块具有晶体管形成面，所述薄膜晶体管形成在所述晶体管形成面；
所述晶体管形成面与所述凸块面向所述衬底基板的表面之间具有夹角α，且0°＜α＜90°。
2.根据权利要求1所述的异形薄膜晶体管，其特征在于，所述凸块为透光压印凸块。
3.根据权利要求1所述的异形薄膜晶体管，其特征在于，所述凸块为不对称结构的梯台，或不对称结构的棱台。
4.根据权利要求1所述的异形薄膜晶体管，其特征在于，60°≤α≤70°。
5.根据权利要求1-4任一项所述的异形薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅结构的薄膜晶体管，或底栅结构的薄膜晶体管。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的异形薄膜晶体管。
7.一种异形薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1-5任一项所述的异形薄膜晶体管，所述异形薄膜晶体管的制作方法包括：
提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成凸块，使得所述凸块具有晶体管形成面，所述晶体管形成面与所述凸块面向所述衬底基板的表面之间具有夹角α，且0°＜α＜90°；
在所述晶体管形成面形成薄膜晶体管。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成凸块包括：
采用压印工艺或光罩工艺在所述衬底基板上形成凸块。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述凸块采用透光材料制作形成。
10.根据权利要求7-9任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述晶体管形成面形成薄膜晶体管包括：
在所述晶体管形成面形成顶栅结构的薄膜晶体管；或，
在所述晶体管形成面形成底栅结构的薄膜晶体管。
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