[发明专利]一种优化的PCIE设备热插拔下电方法在审
| 申请号： | 201710590035.9 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107357754A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 上官宇剑 | 申请（专利权）人： | 郑州云海信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/40 | 分类号： | G06F13/40 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司37105 | 代理人： | 王汝银 |
| 地址： | 450018 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 优化 pcie 设备 拔下 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种优化的PCIE设备热插拔下电方法，其特征是，具体包括以下步骤：
对RC端或SW端的接收器在位侦测状态寄存器值进行判断；
如果是期望值，则EP设备已正常走完下电流程；否则，则对RC或SW的端口控制寄存器操作，继续进行在位侦测状态寄存器值判断；
如果控制寄存器操作多次后，在位侦测状态寄存器值还不是期望值，则表示EP设备故障，并打印故障信息。
2.根据权利要求1所述的一种优化的PCIE设备热插拔下电方法，其特征是，对在位侦测状态寄存器值进行判断具体为：PCIE驱动判断接收器在位侦测状态寄存器的各个位的数值。
3.根据权利要求2所述的一种优化的PCIE设备热插拔下电方法，其特征是，所述的期望值为寄存器各个位数值全部为零。
4.根据权利要求1所述的一种优化的PCIE设备热插拔下电方法，其特征是，控制寄存器操作的具体方法包括：PCIE驱动对RC或SW的端口控制寄存器非期望值端口先进行禁止操作，再进行使能操作，使得在位状态寄存器状态被更新。
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