[发明专利]发光装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201710580156.5 | 申请日: | 2017-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN107644886B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
| 发明(设计)人: | 李弦燮;卢正训;张常希;全亨一;崔炳锡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
提供了一种发光装置及其制造方法。所述发光装置包括:基底、第一电极、绝缘层、第二电极和条型发光二极管(LED)。绝缘层包括突出于第一电极的多个突出部和位于所述多个突出部之间的至少一个孔。第二电极位于绝缘层上。条型LED位于所述至少一个孔中。条型LED具有在长度方向上的第一端和第二端。第一端和第二端中的一端连接到第一电极,第一端和第二端中的另一端连接到第二电极。
于2016年7月21日提交并且名称为“Light Emitting Device and FabricatingMethod Thereof(发光装置及其制造方法)”的第10-2016-0092863号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
在此描述的一个或更多个实施例涉及一种发光装置和一种用于制造发光装置的方法。
背景技术
发光二极管(LED)即使在差的环境条件下也是耐久的,并且具有优异的寿命和亮度。被称为微条型LED的一种类型的LED具有微米级或纳米级的尺寸并且包括无机晶体结构,例如生长有氮化物基半导体的结构。
发明内容
根据一个或更多个实施例,一种发光装置包括:基底;第一电极,位于基底上;绝缘层,包括突出于第一电极的多个突出部和位于多个突出部之间的至少一个孔;第二电极,位于绝缘层上;条型LED,位于所述至少一个孔中,其中,条型LED具有在长度方向上的第一端和第二端,其中,第一端和第二端中的一端连接到第一电极,第一端和第二端中的另一端连接到第二电极。条型LED的长度方向相对于基底的表面可以是垂直的或倾斜的。多个突出部中的每个突出部可以具有倒锥形形状。多个突出部中的每个突出部的高度可以与条型LED的长度相等或者比条型LED的长度小。
发光装置可以包括位于多个突出部之间的多个孔。多个孔可以径向地布置。多个孔可以具有条纹形状。多个孔可以彼此平行地布置。多个孔中的每个孔的宽度可以比条型LED的长度小。第二电极的形状可以与绝缘层的形状基本相等。
发光装置可以包括位于第一端和第二端中的一端与第一电极之间或者位于第一端和第二端中的另一端与第二电极之间的辅助电极。第一电极和第二电极可以位于距离基底的顶表面不同的高度处。
根据一个或更多个其它实施例,一种用于制造发光装置的方法包括:在基底上形成第一导电层;在第一导电层上形成具有暴露第一导电层的一部分的孔的绝缘层;在基底上形成第二导电层以形成具有距离基底的表面不同高度的第一电极和第二电极;在第一电极与第二电极之间施加电场;使条型LED在基底上分散。形成绝缘层的步骤可以包括:在第一电极上形成负型光致抗蚀剂;使光致抗蚀剂曝光并且显影以使光致抗蚀剂图案化。可以同时执行形成电场和使条型LED分散。该方法可以包括使条型LED在基底上分散之前形成第一辅助电极。该方法可以包括使条型LED在基底上分散之后形成第二辅助电极。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例,特征对本领域的技术人员来说将变得明显,在附图中:
图1示出了条型LED的实施例;
图2示出了发光装置的实施例;
图3A-图3E示出了单元发光区的各种实施例;
图4A-图4C示出了像素电路的各种实施例;
图5示出了单元发光区的另一实施例;
图6示出了沿图5中的剖线I-I’的图;
图7-图9示出了根据实施例的发光装置中的第二电极的各种形状;
图10A-图10E示出了用于制造图5和图6中的发光装置的方法的实施例的各种阶段;
图11示出了与图5中的线I-I’对应的发光装置的剖视图的实施例;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





