[发明专利]发光装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201710580156.5 | 申请日: | 2017-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN107644886B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
| 发明(设计)人: | 李弦燮;卢正训;张常希;全亨一;崔炳锡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光装置,所述发光装置包括:
基底;
第一电极,位于所述基底上;
绝缘层,包括突出于所述第一电极的多个突出部和位于所述多个突出部之间的至少一个孔;
第二电极,位于所述绝缘层上;以及
条型发光二极管,位于所述至少一个孔中,其中,所述条型发光二极管具有在长度方向上的第一端和第二端,其中,所述第一端和所述第二端中的一端连接到所述第一电极,所述第一端和所述第二端中的另一端连接到所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述条型发光二极管的所述长度方向相对于所述基底的表面是垂直的或倾斜的。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述多个突出部中的每个突出部具有倒锥形形状。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述多个突出部中的每个突出部的高度与所述条型发光二极管的长度相等或者比所述条型发光二极管的长度小。
5.根据权利要求1所述的发光装置,所述发光装置还包括位于所述多个突出部之间的多个孔。
6.根据权利要求5所述的发光装置,其中,所述多个孔径向地布置。
7.根据权利要求5所述的发光装置,其中,所述多个孔具有条纹形状。
8.根据权利要求7所述的发光装置,其中,所述多个孔彼此平行地布置。
9.根据权利要求5所述的发光装置,其中,所述多个孔中的每个孔的宽度比所述条型发光二极管的长度小。
10.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第二电极的形状与所述绝缘层的形状基本相同。
11.根据权利要求1所述的发光装置,所述发光装置还包括:
辅助电极,位于所述第一端和所述第二端中的一端与所述第一电极之间或者位于所述第一端和所述第二端中的另一端与所述第二电极之间。
12.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第一电极和所述第二电极位于距离所述基底的顶表面不同的高度处。
13.一种用于制造发光装置的方法,所述方法包括:
在基底上形成第一导电层;
在所述第一导电层上形成具有暴露所述第一导电层的一部分的孔的绝缘层;
在所述基底上形成第二导电层以形成具有距离所述基底的表面不同高度的第一电极和第二电极;
在所述第一电极与所述第二电极之间施加电场;以及
使条型发光二极管在所述基底上分散,
其中,所述条型发光二极管具有在长度方向上的第一端和第二端,其中,所述第一端和所述第二端中的一端连接到所述第一电极,所述第一端和所述第二端中的另一端连接到所述第二电极。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,形成所述绝缘层的步骤包括:
在所述第一电极上形成负型光致抗蚀剂;以及
使所述光致抗蚀剂曝光并且显影以使所述光致抗蚀剂图案化。
15.根据权利要求13所述的方法,其中,同时执行形成所述电场和使所述条型发光二极管分散。
16.根据权利要求13所述的方法,所述方法还包括:
使所述条型发光二极管在所述基底上分散之前形成第一辅助电极。
17.根据权利要求13所述的方法,所述方法还包括:
使所述条型发光二极管在所述基底上分散之后形成第二辅助电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





