[发明专利]基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质有效
申请号: | 201710579877.4 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN107644824B | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 益富裕之;盐川俊行;田中幸二;佐藤尊三 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板液 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置能够在处理槽内的处理液中形成均匀的N2气体的气泡。基板液处理装置(1)具备:处理槽(34),其收纳基板(8);以及多个气体供给管(81、82、83、84),所述多个气体供给管(81、82、83、84)设置在处理槽(34)内。一个气体供给管(81)的喷出口(81a)与相邻的其它气体供给管(82)的喷出口(82a)在与基板(8)的电路形成面平行的方向上不重叠。
技术领域
本发明涉及一种使多个基板以排列的状态浸在处理液中来进行液处理的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。
背景技术
在制造半导体器件、平板显示器等时,使用基板液处理装置利用清洗液、蚀刻液等处理液对半导体晶圆、液晶基板等基板实施各种液处理。
例如,在专利文献1所公开的基板液处理装置中,在处理槽的底部设置两根处理液供给管,从处理液供给管向处理槽的内部供给处理液。
在该基板液处理装置中,多个基板以垂直地立起的姿势且在水平方向上隔开间隔地进行排列的状态浸在贮存有处理液的处理槽中。处理液供给管朝向与基板正交的方向延伸,隔开规定的间隔地朝向基板设置有用于喷出处理液的开口。开口形成为具有圆形开口的贯通孔。两根处理液供给管各自的开口朝向基板的中央侧地向内侧斜上方倾斜。
而且,在基板液处理装置中,通过从两根处理液供给管的喷出口朝向基板的中央喷出处理液,来在处理槽的内部形成沿着基板的表面流动的处理液的上升流,利用上升的处理液对基板的表面进行液处理。在该情况下,从处理液供给管向处理槽内供给的处理液被预先加热,以沸腾的状态被供给,通过使处理液沸腾,在处理液中产生气泡来促进处理液的上升流。
专利文献1:日本特开2012-15490号公报
发明内容
然而,如上述的那样,处理液以沸腾的状态被供给到处理槽内,但为了使得即使大气压变动处理槽内的处理液的沸腾状态也稳定,而考虑向处理槽内供给N2气体来在处理液中形成气泡。
然而,以往以来,难以在处理槽内的处理液中产生稳定的气泡,例如当气泡不均匀、气泡集中时,气泡彼此合并而气泡直径产生偏差,难以进行均匀的液处理。
本发明是考虑了这样的方面而完成的,其目的在于提供一种能够在处理槽内形成均匀的气泡来实施基板液处理的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。
本发明是一种基板液处理装置,其特征在于,具备:处理槽,其用于收纳含有磷酸水溶液的处理液和以垂直姿势配置的多个基板,并且使用所述处理液对所述基板进行处理;处理液供给管,其向所述处理槽内供给所述处理液;以及多个气体供给管,所述多个气体供给管设置于所述处理槽,用于向所述处理液供给气体来形成气泡,其中,各气体供给管设置在所述基板的下方,并且沿与所述基板的电路形成面正交的水平方向延伸,各气体供给管在一侧具有开口的多个喷出口,一个气体供给管的喷出口与同该气体供给管相邻的其它气体供给管的喷出口在与所述基板的电路形成面平行的方向上不重叠而进行交错配置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造