[发明专利]基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质有效
申请号: | 201710579877.4 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN107644824B | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 益富裕之;盐川俊行;田中幸二;佐藤尊三 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板液 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
1.一种基板液处理装置,其特征在于,具备:
处理槽,其用于收纳含有磷酸水溶液的处理液和以垂直姿势配置的多个基板,并且使用所述处理液对所述基板进行处理;
处理液供给管,其向所述处理槽内供给所述处理液;以及
多个气体供给管,所述多个气体供给管设置于所述处理槽,用于向所述处理液供给气体来形成气泡,
其中,各气体供给管设置在所述基板的下方,并且沿与所述基板的电路形成面正交的水平方向延伸,
各气体供给管在一侧具有开口的多个喷出口,一个气体供给管的喷出口与同该气体供给管相邻的其它气体供给管的喷出口在与所述基板的电路形成面平行的方向上不重叠而进行交错配置,
在一个气体供给管中流动的气体的流动方向朝向与在相邻的其它气体供给管中流动的气体的流动方向相反的方向。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置,其特征在于,
多个基板以规定的配置间距进行配置,各气体供给管的喷出口以基板的配置间距的2以上的整数倍的配置间距形成。
3.根据权利要求2所述的基板液处理装置,其特征在于,
各气体供给管的喷出口配置在各基板间的中间位置。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板液处理装置,其特征在于,
一个气体供给管与相邻的其它气体供给管彼此独立地被进行流量调整。
5.根据权利要求4所述的基板液处理装置,其特征在于,
一个气体供给管和相邻的其它气体供给管分别从上游侧朝向下游侧被划分成多个区域,各区域独立地被进行流量调整。
6.一种使用基板液处理装置的基板液处理方法,所述基板液处理装置具备:
处理槽,其用于收纳含有磷酸水溶液的处理液和以垂直姿势配置的多个基板,并且使用所述处理液对所述基板进行处理;
处理液供给管,其向所述处理槽内供给所述处理液;以及
多个气体供给管,所述多个气体供给管设置于所述处理槽,用于对所述处理液供给气体来形成气泡,
其中,各气体供给管设置在所述基板的下方,并且沿与所述基板的电路形成面正交的水平方向延伸,
各气体供给管在一侧具有开口的多个喷出口,一个气体供给管的喷出口与同该气体供给管相邻的其它气体供给管的喷出口在与所述基板的电路形成面平行的方向上不重叠而进行交错配置,
所述基板液处理方法的特征在于,具备以下步骤:
从所述一个气体供给管和所述相邻的其它气体供给管经由喷出口向所述处理液中供给气体;以及
在所述处理液中形成在所述基板间上升的气泡,
其中,在一个气体供给管中流动的气体的流动方向朝向与在相邻的其它气体供给管中流动的气体的流动方向相反的方向。
7.一种存储介质,其特征在于,保存有用于使计算机执行基板液处理方法的计算机程序,
其中,所述基板液处理方法使用基板液处理装置,
所述基板液处理装置具备:
处理槽,其用于收纳含有磷酸水溶液的处理液和以垂直姿势配置的多个基板,并且使用所述处理液对所述基板进行处理;
处理液供给管,其向所述处理槽内供给所述处理液;以及
多个气体供给管,所述多个气体供给管设置于所述处理槽,用于向所述处理液供给气体来形成气泡,
各气体供给管设置在所述基板的下方,并且沿与所述基板的电路形成面正交的水平方向延伸,
各气体供给管在一侧具有开口的多个喷出口,一个气体供给管的喷出口与同该气体供给管相邻的其它气体供给管的喷出口在与所述基板的电路形成面平行的方向上不重叠而进行交错配置,
所述基板液处理方法具备以下步骤:
从所述一个气体供给管和所述相邻的其它气体供给管经由喷出口向所述处理液中供给气体;以及
在所述处理液中形成在所述基板间上升的气泡,
其中,在一个气体供给管中流动的气体的流动方向朝向与在相邻的其它气体供给管中流动的气体的流动方向相反的方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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