[发明专利]一种沟槽型功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，包括：

在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；

利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层，其中所述P型埋层包括位于分压区域的第一P型埋层和位于场限环区域的至少一个第二P型埋层；

在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层，其中所述第二N型外延层覆盖所述第一P型埋层和所述第二P型埋层；

对所述第二N型外延层进行刻蚀，并在所述第一P型埋层的两侧分别形成主结沟槽和多个场限环沟槽，其中一个场限环沟槽与所述第二P型埋层相对应；

对所述主结沟槽和所述场限环沟槽进行第一次P型注入，并在所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁形成P型注入区域；

对所述第一P型埋层两侧的主结沟槽和场限环沟槽进行第二次P型注入，以使得所述沟槽型功率器件的主结的P型注入区域延伸到所述第一N型外延层，且临近于所述第一P型埋层的场限环的P型注入区域延伸到其下方的位于所述第一N型外延层的第二P型埋层。

2.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，所述在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口的步骤包括：

提供一个N型衬底，并在所述N型衬底表面形成第一N型外延层；

对所述第一N型外延层表面进行氧化处理，以在所述第一N型外延层表面制作出氧化层；

利用光刻胶作为掩膜，在所述氧化层刻蚀出所述注入窗口，其中所述注入窗口包括位于所述沟槽型功率器件的分压区域的第一注入窗口和位于所述沟槽型功率器件的场限环区域的两个第二注入窗口，所述第一注入窗口用于形成所述第一P型埋层，所述两个第二注入窗口用于形成两个第二P型埋层。

3.根据权利要求2所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层的步骤包括：

去除所述第一N型外延层表面的氧化层和光刻胶；

通过外延工艺在所述第一N型外延层表面进一步形成所述第二N型外延层，其中所述第二N型外延层形成之后所述第一P型埋层和所述第二P型埋层位于所述第二N型外延层的下方。

4.根据权利要求2所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，还包括：

以光刻胶作为掩膜并在所述光刻胶形成沟槽刻蚀窗口，其中所述沟槽刻蚀窗口包括位于所述第一P型埋层内侧的主结沟槽刻蚀窗口和位于所述第二P型埋层外侧的多个场限环沟槽刻蚀窗口，其中两个场限环沟槽刻蚀窗口形成于与所述两个第二P型埋层相对应的位置。

5.根据权利要求4所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，对所述第二N型外延层进行刻蚀的步骤包括：

利用干法刻蚀工艺并通过所述沟槽刻蚀窗口对所述第二N型外延层进行刻蚀，从而在所述第二N型外延层形成与所述主结沟槽刻蚀窗口相对应的主结沟槽，以及与所述多个场限环沟槽刻蚀窗口相对应的多个场限环沟槽。

6.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，对所述主结沟槽和所述场限环沟槽进行第一次P型注入的步骤包括：

在所述主结沟槽和所述场限环沟槽形成之后，利用垂直和倾斜注入工艺对所述主结沟槽和所述场限环沟槽分别进行P型注入，从而在所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁分别形成P型注入区域；其中，所述主结沟槽的P型注入区域和所述场限环沟槽的P型注入区域并未延伸到所述第一N型外延层。