[发明专利]显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201710576534.2 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107331688B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 王灿;陈小川;玄明花;张粲;杨明;岳晗 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括多个子像素;
在显示面板的出光侧且与子像素对应的位置处设置有相应的抗反层;
在每个所述子像素和相应的抗反层之间设置有介质层;
所述抗反层的厚度满足:第一光线和第二光线非同相;
第一光线为环境光经过抗反层外表面反射后的光线;
第二光线为环境光依次经过抗反层的外表面向介质层内折射、在抗反层和介质层的界面反射、自介质层向环境折射后射出抗反层的光线;
在所述抗反层内或所述介质层内填充有辅助颗粒;
不同子像素发出的光信号的波长和辅助颗粒的直径大小成正相关关系。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述抗反层的折射率小于所述介质层的折射率但大于环境的折射率。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述抗反层的折射率n按照如下公式计算:
n2=n1*n2,其中
n1为环境的折射率;
n2为介质层的折射率。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述抗反层的厚度d按照如下公式计算:
nd=(2k+1)λ/4,(k=1,2,3,4……)
其中,n为抗反层的折射率;
λ为所述子像素发出的光信号的波长。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述介质层为玻璃。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述抗反层采用的材料包括SiO2和MgF2中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在与所述子像素对应的位置处且朝向显示的一侧设置有相应颜色的涂层。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助颗粒包括:Ag颗粒、Au颗粒和Si颗粒中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:由单晶硅材料制成的基板以及在基板上制备的有源驱动电路;
所述子像素为OLED发光子像素;
所述有源驱动电路用于驱动所述OLED发光子像素工作。
10.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在显示面板的出光侧且与子像素对应的位置处设置的相应的介质层和抗反层,介质层位于子像素和抗反层之间;
所述抗反层的厚度满足:第一光线和第二光线非同相;
第一光线为环境光经过抗反层外表面反射后的光线;
第二光线为环境光依次经过抗反层的外表面向介质层内折射、在抗反层和介质层的界面反射、自介质层向环境折射后射出抗反层的光线;
还包括以下步骤:
在所述抗反层内或所述介质层内填充有辅助颗粒;
不同子像素发出的光信号的波长和辅助颗粒的直径大小成正相关关系。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述抗反层的折射率小于所述介质层的折射率但大于环境的折射率。
12.根据权利要求11所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述抗反层的折射率n按照如下公式计算:
n2=n1*n2,其中
n1为环境的折射率;
n2为介质层的折射率。
13.根据权利要求11或12所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述抗反层的厚度d按照如下公式计算:
nd=(2k+1)λ/4,(k=1,2,3,4……)
其中,n为抗反层的折射率;
λ为所述子像素发出的光信号的波长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的