[发明专利]静电放电保护装置

权利要求书

1.静电放电保护装置，包括：

半导体基板；

在所述基板上形成的第一N型阱；

在所述第一N型阱内形成的第二N型阱及第一P型阱，其中所述第二N型阱被排列成环绕所述第一P型阱；

所述第二N型阱包括第一N+区及第一P+区，其中所述第一N+区及所述第一P+区在所述第二N型阱内间隔开；

所述第一P型阱包括第二N+区、第三N+区、及位于所述第二N+区与所述第三N+区之间的第二P+区，其中，所述第二N+区被排列成环绕第二P+区，第二P+区被排列成环绕第三N+区；以及

接触窗，位于所述第一N+区与所述第一P+区之间的所述第二N型阱上；

一多晶硅电阻，位于所述接触窗之间；

其中所述第一P+区、第一N型阱、第一P型阱以及第二P+区形成第一晶体管，

所述第一N+区、第二N型阱、第一N型阱、第一P型阱及第二N+区形成第二晶体管，所述二N型阱在所述第一晶体管的基极与所述第二晶体管的集电极之间提供第一阱阻，且

所述第二N型阱、第一N型阱、第一P型阱及第三N+区形成第三晶体管，或所述第一N型阱、第一P型阱及第三N+区形成第三晶体管，所述第一P型阱在所述第二晶体管的基极/发射极与所述第三晶体管的发射极之间提供第二阱阻；

其中所述接触窗电性联接至阳极且电性联接至所述第一N+区或所述第一P+区，且

其中所述第二N+区、所述第三N+区及所述第二P+区电性联接至阴极，

其中所述第一晶体管、所述第二晶体管及所述第三晶体管被配置及排列成，在所述阳极与所述阴极之间提供在不同的崩溃电压下被启动的多个传导路径，

其中所述第一晶体管能够运作以在第一电压施加至所述阳极时打开，所述第二晶体管能够运作以在第二电压施加至所述阳极时打开，所述第三晶体管能够运作以在第三电压施加至所述阳极时打开，且其中所述第三电压大于所述第二电压，并且所述第二电压大于所述第一电压。

2.如权利要求1所述的装置，还包括场氧化物，位于所述第一P+区与所述第二N+区之间。

3.如权利要求2所述的装置，还包括第三接触窗，排列于所述场氧化物上，其中所述第三接触窗电性耦合至阴极。

4.一种静电放电保护电路，包括：

第一双极结型晶体管，其中所述第一双极结型晶体管的发射极通过第一电阻电性耦合至所述第一双极结型晶体管的基极，且所述第一双极结型晶体管能够运作以在第一电压施加至所述第一双极结型晶体管的所述发射极时打开；

第二双极结型晶体管，其中所述第二双极结型晶体管的集电极通过第二电阻耦合至所述第一双极结型晶体管的所述基极，且所述第二双极结型晶体管能够运作以在第二电压施加至所述第一双极结型晶体管的所述发射极时打开，所述第二电压大于所述第一电压；以及

第三双极结型晶体管，其中所述第三双极结型晶体管的集电极及基极分别联接至所述第二双极结型晶体管的所述集电极及基极，所述第三双极结型晶体管的所述基极通过第三电阻电性耦合至所述第三双极结型晶体管的发射极，且所述第三双极结型晶体管能够运作以在第三电压施加至所述第一双极结型晶体管的所述发射极时打开，所述第三电压大于所述第二电压。

5.如权利要求4所述的静电放电保护电路，其中所述第一双极结型晶体管的集电极联接至所述第二双极结型晶体管的发射极。

6.如权利要求4所述的静电放电保护电路，其中所述第三双极结型晶体管的所述发射极电性耦合至接地。

7.如权利要求4所述的静电放电保护电路，其中所述第二双极结型晶体管的所述基极联接至所述第二双极结型晶体管的所述发射极。

8.一种制作静电放电保护装置的方法，所述方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成第一N型阱；

在所述第一N型阱内形成第二N型阱及第一P型阱，其中所述第二N型阱被排列成环绕所述第一P型阱；

在所述第二N型阱内形成第一N+区及第一P+区，其中所述第一N+区及所述第一P+区在所述第二N型阱内间隔开；

在所述第一P型阱内形成第二N+区、第二P+区、及第三N+区，其中所述第二P+区将所述第二N+区与所述第三N+区隔开，其中所述第二N+区被排列成环绕所述第二P+区，所述第二P+区被排列成环绕所述第三N+区；

形成第一氧化物层，其中所述第一氧化物层位于所述第一P+区与所述第二N+区之间；

形成第二氧化物层，其中所述第二氧化物层位于所述第一N+区与所述第一P+区之间；以及

在所述第一氧化物层及所述第二氧化物层上分别形成第一接触窗和第二接触窗；

其中所述第一P+区、第一N型阱、第一P型阱以及第二P+区形成第一晶体管，

所述第一N+区、第二N型阱、第一N型阱、第一P型阱及第二N+区形成第二晶体管，所述第二N型阱在所述第一晶体管的基极与所述第二晶体管的集电极之间提供第一阱阻，且

所述第二N型阱、第一N型阱、第一P型阱及第三N+区形成第三晶体管，或所述第一N型阱、第一P型阱及第三N+区形成第三晶体管，所述第一P型阱在所述第二晶体管的基极/发射极与所述第三晶体管的发射极之间提供第二阱阻；

其中所述第二接触窗电性联接至阳极且电性联接至所述第一N+区或所述第一P+区，且

其中所述第一接触窗、所述第二N+区、所述第三N+区及所述第二P+区电性联接至阴极，

其中所述第一晶体管、所述第二晶体管及所述第三晶体管被配置及排列成，在所述阳极与所述阴极之间提供在不同的崩溃电压下被启动的多个传导路径，

其中所述第一晶体管能够运作以在第一电压施加至所述阳极时打开，所述第二晶体管能够运作以在第二电压施加至所述阳极时打开，所述第三晶体管能够运作以在第三电压施加至所述阳极时打开，且其中所述第三电压大于所述第二电压，并且所述第二电压大于所述第一电压。