[发明专利]一种高压发光二极管芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种高压发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括多个子芯片，每个子芯片包括N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层、透明导电层和P型电极线，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的第一凹槽，N型半导体上设有延伸至衬底的第二凹槽；一个P型半导体层上设有P型焊盘，一个N型半导体层上设有N型焊盘，其它N型半导体层上设有N型电极线；第二凹槽内设有第一电极线，在没有设置P型焊盘的子芯片中，P型电极线由第二电极线组成，在设有N型电极线的子芯片中，N型电极线由第三电极线组成，第二电极线和第三电极线分别第一电极线连接。本发明在略微改善芯片电压的情况下提高了芯片的发光亮度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种高压发光二极管芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是高效、环保、绿色的新一代固态照明光源，具有低电压、低功耗、体积小、重量轻、寿命长、高可靠性等优点，广泛应用于交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源、户外全彩显示屏等领域。

芯片是LED的心脏，高压LED芯片由多个子芯片串联而成。多个子芯片通常在衬底上排成一列，每个子芯片包括依次层叠在衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层、透明导电层和P型电极线，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的第一凹槽，第一凹槽内的N型半导体上设有延伸至衬底的第二凹槽，第二凹槽位于相邻的两个子芯片之间。位于队列的一端的P型半导体层上设有P型焊盘，P型焊盘与同一个子芯片的P型电极线连接；位于队列的另一端的N型半导体上设有N型焊盘，在这多个子芯片中，除设有N型焊盘的子芯片之外的子芯片的N型半导体上均设有N型电极线；相邻的两个子芯片中，一个子芯片的N型电极线与另一个子芯片的P型电极线连接。其中，N型电极线和P型电极线均包括平行于排列方向的电极线和垂直于排列方向的电极线，平行于排列方向的电极线和垂直于排列方向的电极线相互连接，以进行电流的横向扩展，降低芯片电压。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

N型电极线和P型电极线会阻挡和吸收芯片发出的光线，设置的N型电极线和P型电极线较多，会影响芯片的发光亮度；但是如果减少设置的N型电极线和P型电极线，则会影响电流的横向扩展，造成芯片电压增加和亮度下降。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种高压发光二极管芯片及其制作方法。所述技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种高压发光二极管芯片，所述高压发光二极管芯片包括多个子芯片，所述多个子芯片串联并按照串联的方向在衬底上排成一列；每个所述子芯片包括依次层叠在所述衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层、透明导电层和P型电极线，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽，所述第一凹槽内的所述N型半导体上设有延伸至所述衬底的第二凹槽，所述第二凹槽位于相邻的两个所述子芯片之间；位于队列一端的所述P型半导体层上设有P型焊盘，所述P型焊盘与同一个所述子芯片的所述P型电极线连接，位于队列另一端的所述N型半导体层上设有N型焊盘，其它子芯片的所述N型半导体层上设有N型电极线，其它子芯片为所述多个子芯片中除设有所述N型焊盘的所述子芯片之外的子芯片；相邻的两个所述子芯片中，一个所述子芯片的N型电极线与另一个所述子芯片的P型电极线连接；

所述第二凹槽内设有垂直于排列方向的第一电极线，在没有设置所述P型焊盘的所述子芯片中，所述P型电极线由平行于排列方向的第二电极线组成，在设有所述N型电极线的所述子芯片中，所述N型电极线由平行于排列方向的第三电极线组成，所述第二电极线和所述第三电极线分别与距离最近的所述第二凹槽内的所述第一电极线连接。