[发明专利]一种高压发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种高压发光二极管芯片，所述高压发光二极管芯片包括多个子芯片，所述多个子芯片串联并按照串联的方向在衬底上排成一列；每个所述子芯片包括依次层叠在所述衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层、透明导电层和P型电极线，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽，所述第一凹槽内的所述N型半导体上设有延伸至所述衬底的第二凹槽，所述第二凹槽位于相邻的两个所述子芯片之间；位于队列一端的所述P型半导体层上设有P型焊盘，所述P型焊盘与同一个所述子芯片的所述P型电极线连接，位于队列另一端的所述N型半导体层上设有N型焊盘，其它子芯片的所述N型半导体层上设有N型电极线，其它子芯片为所述多个子芯片中除设有所述N型焊盘的所述子芯片之外的子芯片；相邻的两个所述子芯片中，一个所述子芯片的N型电极线与另一个所述子芯片的P型电极线连接；

其特征在于，所述第二凹槽内设有垂直于排列方向的第一电极线，在没有设置所述P型焊盘的所述子芯片中，所述P型电极线由平行于排列方向的第二电极线组成，在设有所述N型电极线的所述子芯片中，所述N型电极线由平行于排列方向的第三电极线组成，所述第二电极线和所述第三电极线分别与距离最近的所述第二凹槽内的所述第一电极线连接；

设有所述P型焊盘的所述P型半导体层上还设有延伸至衬底的第三凹槽，所述第三凹槽内设有垂直于排列方向的第四电极线，设有所述P型焊盘的所述子芯片中，所述P型电极线由平行于排列方向的第五电极线组成，所述第四电极线与所述第五电极线连接。

2.根据权利要求1所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽内还设有氧化物反射层、金属反射层和金属粘结层，所述氧化物反射层、所述反射层和所述金属粘结层依次层叠在所述衬底和所述第一电极线之间。

3.根据权利要求2所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述氧化物反射层包括(n+1)个二氧化钛薄膜和n个氟化镁薄膜，所述(n+1)个二氧化钛薄膜和所述n个氟化镁薄膜交替层叠设置，n为正整数。

4.根据权利要求2所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述金属反射层的材料采用银、铝和铂中的一种或多种。

5.根据权利要求2所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述金属粘结层的材料采用钛、铬和镍中的一种或多种。

6.根据权利要求1～5任一项所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述衬底为图形化蓝宝石衬底。

7.根据权利要求1～5任一项所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽的侧壁与所述第二凹槽的底面之间的夹角为钝角。