[发明专利]存储元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底中形成多个第一隔离结构，所述第一隔离结构将所述衬底分隔成多个条状图案，所述条状图案可为弯曲型或直条型；

在所述衬底中形成多个字线组，所述字线组沿着Y方向延伸并穿过所述第一隔离结构与所述条状图案，以将所述衬底分成多个第一区与多个第二区，其中所述第一区与所述第二区沿着X方向交替排列且所述字线组位于所述第一区中；

在所述衬底上形成第一介电图案，所述第一介电图案覆盖所述字线组并暴露出所述第二区的所述衬底的表面；

在所述第二区的所述衬底上形成导体层，所述导体层的顶面低于所述第一介电图案的顶面；

在所述第二区的所述导体层与所述衬底中形成多个第二隔离结构，所述第二隔离结构沿着所述Y方向延伸并将所述条状图案分隔成多个有源区，其中所述有源区被配置为带状且排列成第一阵列；以及

在所述衬底上形成多个位线结构，所述位线结构沿着所述X方向延伸并横跨所述字线组。

2.根据权利要求1所述的存储元件的制造方法，其特征在于，所述第二隔离结构的形成步骤包括：

在所述衬底上形成第二介电图案，所述第二介电图案暴露出所述导体层的部分表面；

以所述第一介电图案与所述第二介电图案为掩膜，移除部分所述导体层、部分所述第一隔离结构以及部分所述衬底，以形成多个沟槽；以及于所述沟槽中填入介电材料。

3.根据权利要求2所述的存储元件的制造方法，其特征在于，所述介电材料为氮化硅。

4.根据权利要求2所述的存储元件的制造方法，其特征在于，所述沟槽为条状沟槽，其沿着所述Y方向延伸，所述沟槽的步骤为单一步骤，其使得所述导体层中的上部沟槽与所述衬底中的下部沟槽为一连续沟槽。

5.根据权利要求2所述的存储元件的制造方法，其特征在于，所述位线结构的形成步骤包括：

在形成所述第二隔离结构之后，在所述第二介电图案上形成掩膜图案；

以所述掩膜图案为掩膜，进行蚀刻工艺，以形成多个条状开口，其中所述条状开口横越所述第一区与所述第二区，以定义出所述位线的位置；

在所述条状开口的侧壁上形成间隙壁；以及

在所述间隙壁之间依序形成位线接触窗、位线以及顶盖层。

6.根据权利要求5所述的存储元件的制造方法，其特征在于，所述条状开口将所述导体层分隔成多个导体柱，所述导体柱排列成第二阵列，且相邻两行的所述导体柱与排列成同一列的所述有源区接触，以形成第一接触区与第二接触区，所述第一接触区与所述第二接触区位于所对应的有源区的长边的两端点。

7.根据权利要求5所述的存储元件的制造方法，其特征在于，各所述条状开口暴露出所对应的有源区的部分表面以形成第三接触区，而所述位线接触窗位于所述位线与所述第三接触区之间，以电性连接所述位线与所述第三接触区。

8.根据权利要求5所述的存储元件的制造方法，其特征在于，所述位线接触窗的材料包括多晶硅，其形成方法包括化学气相沉积法；或者是所述位线接触窗的材料包括外延硅，其形成方法包括选择性外延成长法。

9.一种存储元件，其特征在于，所述存储元件包括：

衬底，包括多个有源区，所述有源区被配置成带状且排列成第一阵列；

多个隔离结构，位于所述衬底中且沿着Y方向延伸，各所述隔离结构设置在相邻两行的所述有源区之间；

多个导体柱，位于所述衬底上且排列成第二阵列，相邻两行的所述导体柱与排列成同一列的所述有源区接触，以形成第一接触区与第二接触区；

多个位线结构，沿着X方向平行配置于所述衬底上，各所述位线结构与排列成同一列的所述有源区接触，以于所述第一接触区与所述第二接触区之间形成一第三接触区；以及

多个间隙壁，沿着所述X方向平行配置于所述位线结构的侧壁上，以电性隔绝所述位线结构与所述导体柱。