[发明专利]金属掩膜板的制备方法有效
| 申请号: | 201710570518.2 | 申请日: | 2017-07-13 |
| 公开(公告)号: | CN107365958B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
| 发明(设计)人: | 李春霞 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C18/31;H01L51/56 |
| 代理公司: | 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属掩膜板 制备 致密 沉积金属材料 基板预处理 金属材料层 激光干涉 图案化 脱模 申请 | ||
1.一种金属掩膜板的制备方法,所述金属掩膜板用于显示技术领域,其特征在于,所述制备方法包括:
基板预处理;
先在所述基板上沉积金属材料形成金属材料层;
然后使用激光干涉对沉积后的所述金属材料层进行图案化;
脱模,得到所述金属掩膜板。
2.根据权利要求1所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,
形成所述基板的材料包括玻璃、陶瓷、耐高温塑料中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,
所述基板预处理包括:
除油:将所述基板先后浸渍于有机溶剂中5~10min,取出后用去离子水冲洗干净;其中,所述有机溶剂包括丙酮,乙醇;
化学刻蚀:将所述基板浸渍于氢氟酸和硝酸1:1~1:3体积比的混合溶液中刻蚀1~2min,取出后用去离子水冲洗干净;
敏化:将所述基板浸渍于0.01~0.05mol/L的氯化亚锡敏化液中5~10min,敏化温度30~45oC,取出后用去离子水冲洗干净;
活化:将所述基板放入氯化钯活化剂中,活化温度为30~60oC,取出之后用去离子水冲洗干净。
4.根据权利要求1所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,
所述基板的表面粗糙度为Ra,其中Ra≤0.2微米。
5.根据权利要求1-4中任一所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,
所述沉积金属材料为化学镀金属材料;
所述金属材料为因瓦合金。
6.根据权利要求5所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,
所述化学镀金属材料为化学镀因瓦合金,所述化学镀因瓦合金包括:
配置化学镀液:将5~10g/L硫酸亚铁,5~20g/L硫酸镍, 10~25g/L次磷酸二氢钠、30g/L柠檬酸三钠,5g/L十二烷基磺酸钠混合,用氢氧化钠溶液调节pH为12~13,调节所述化学镀液温度为40~60℃;
化学镀:将所述基板放入所述化学镀液中10-60min后取出所述基板。
7.根据权利要求6所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,
所述金属掩膜板的制备方法还包括:
水洗和干燥:将化学镀后的所述基板用去离子水冲洗,用氮气吹干后在80oC的真空烘箱中干燥;
退火:将待脱模的所述基板进行退火处理。
8.根据权利要求1所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,所述使用激光干涉对沉积后的所述金属材料层进行图案化,包括:
使用纳秒脉冲紫外固态激光系统,通过分束器将主激光光束分成至少两束子光束,所述子光束通过偏振镜引向待图案化所述金属材料层上,并发生干涉,所述金属材料层随即形成具有微米尺度的开口图形区域;所述金属材料层的开口图案为所述金属掩膜板的开口图案。
9.根据权利要求8所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,
所述金属材料层为因瓦合金层,所述主激光束能量为0.2~1.0J/cm2。
10.根据权利要求9所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,
所述开口的尺寸小于等于10微米,所述主激光束能量为0.3、0.4或0.7 J/cm2。
11.一种金属掩膜板的制备方法,所述金属掩膜板用于显示技术领域,其特征在于,所述制备方法包括:
基板预处理;
先使用激光干涉对所述基板进行图案化;
然后在图案化的所述基板上沉积金属材料形成金属材料层;
脱模,得到所述金属掩膜板。
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