[发明专利]金属掩膜板的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710570518.2 申请日: 2017-07-13
公开(公告)号: CN107365958B 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 李春霞 申请(专利权)人: 上海天马有机发光显示技术有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C18/31;H01L51/56
代理公司: 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 代理人: 王刚;龚敏
地址: 201201 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 金属掩膜板 制备 致密 沉积金属材料 基板预处理 金属材料层 激光干涉 图案化 脱模 申请
【权利要求书】:

1.一种金属掩膜板的制备方法,所述金属掩膜板用于显示技术领域,其特征在于,所述制备方法包括:

基板预处理;

先在所述基板上沉积金属材料形成金属材料层;

然后使用激光干涉对沉积后的所述金属材料层进行图案化;

脱模,得到所述金属掩膜板。

2.根据权利要求1所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,

形成所述基板的材料包括玻璃、陶瓷、耐高温塑料中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,

所述基板预处理包括:

除油:将所述基板先后浸渍于有机溶剂中5~10min,取出后用去离子水冲洗干净;其中,所述有机溶剂包括丙酮,乙醇;

化学刻蚀:将所述基板浸渍于氢氟酸和硝酸1:1~1:3体积比的混合溶液中刻蚀1~2min,取出后用去离子水冲洗干净;

敏化:将所述基板浸渍于0.01~0.05mol/L的氯化亚锡敏化液中5~10min,敏化温度30~45oC,取出后用去离子水冲洗干净;

活化:将所述基板放入氯化钯活化剂中,活化温度为30~60oC,取出之后用去离子水冲洗干净。

4.根据权利要求1所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,

所述基板的表面粗糙度为Ra,其中Ra≤0.2微米。

5.根据权利要求1-4中任一所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,

所述沉积金属材料为化学镀金属材料;

所述金属材料为因瓦合金。

6.根据权利要求5所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,

所述化学镀金属材料为化学镀因瓦合金,所述化学镀因瓦合金包括:

配置化学镀液:将5~10g/L硫酸亚铁,5~20g/L硫酸镍, 10~25g/L次磷酸二氢钠、30g/L柠檬酸三钠,5g/L十二烷基磺酸钠混合,用氢氧化钠溶液调节pH为12~13,调节所述化学镀液温度为40~60℃;

化学镀:将所述基板放入所述化学镀液中10-60min后取出所述基板。

7.根据权利要求6所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,

所述金属掩膜板的制备方法还包括:

水洗和干燥:将化学镀后的所述基板用去离子水冲洗,用氮气吹干后在80oC的真空烘箱中干燥;

退火:将待脱模的所述基板进行退火处理。

8.根据权利要求1所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,所述使用激光干涉对沉积后的所述金属材料层进行图案化,包括:

使用纳秒脉冲紫外固态激光系统,通过分束器将主激光光束分成至少两束子光束,所述子光束通过偏振镜引向待图案化所述金属材料层上,并发生干涉,所述金属材料层随即形成具有微米尺度的开口图形区域;所述金属材料层的开口图案为所述金属掩膜板的开口图案。

9.根据权利要求8所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,

所述金属材料层为因瓦合金层,所述主激光束能量为0.2~1.0J/cm2

10.根据权利要求9所述的金属掩膜板的制备方法,其特征在于,

所述开口的尺寸小于等于10微米,所述主激光束能量为0.3、0.4或0.7 J/cm2

11.一种金属掩膜板的制备方法,所述金属掩膜板用于显示技术领域,其特征在于,所述制备方法包括:

基板预处理;

先使用激光干涉对所述基板进行图案化;

然后在图案化的所述基板上沉积金属材料形成金属材料层;

脱模,得到所述金属掩膜板。

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