[发明专利]半导体开关控制装置有效

专利信息
申请号: 201710570445.7 申请日: 2017-07-13
公开(公告)号: CN107623514B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 森本充晃 申请(专利权)人: 矢崎总业株式会社
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 代理人: 吴立;邹轶鲛
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 开关 控制 装置
【说明书】:

本发明提供一种半导体开关控制装置,其能够在因短路等流有过电流的情况下抑制半导体开关的温度上升且适当地切断电流。半导体开关控制装置(1)包括设置在电池(3)的阳极和负载部(2)之间的FET(11)、设置在电池(3)的阴极和负载部(2)之间的FET(12),在将比异常电流值大并且比最大电流值小的电流值作为电流限制值的情况下,其中,异常电流值表示流过FET(11)的第1漏极电流是过电流,最大电流值是FET(11)能够允许的第1漏极电流的最大电流值,将限制栅极电压施加在FET(12),其中,限制栅极电压将第1漏极电流的电流值设定在电流限制值。

技术领域

本发明涉及半导体开关控制装置。

背景技术

以往,电动汽车、混合动力电动汽车等搭载有马达等的负载部、用于驱动该负载部的电池、并以安全保护为目的而设置有使从电池流向负载部的电流通过或者切断的开关。虽然该开关主要用于机械式继电器,但近年来也考虑使用半导体开关。半导体开关在因短路等流有过电流的情况下,进行用于保护该半导体开关而切断电流的控制(例如,专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2012-23899号公报

发明内容

本发明欲解决的问题

但是,有可能在因短路等流有过电流的情况下半导体开关过热且切断电流的控制变得困难。

因此,本发明是鉴于上述情况而完成的发明,其目的在于提供一种在因短路等流有过电流的情况下能够抑制半导体开关的温度上升且适当地切断电流的半导体开关控制装置。

用于解决问题的方案

为解决上述问题、实现目的,本发明所涉及的半导体开关控制装置,其特征在于,包括:第1半导体开关,其设置在电源的阳极和负载部之间、使从所述电源流向所述负载部的电流通过或者切断;第2半导体开关,其设置在所述负载部和所述电源的阴极之间、根据施加的设定栅极电压来调整从所述负载部流向所述电源的电流,限制流过所述第1半导体开关的电流;控制部,其控制所述第1半导体开关以及所述第2半导体开关,所述控制部在将比异常电流值大并且比最大电流值小的电流值作为电流限制值的情况下,其中,所述异常电流值表示流过所述第1半导体开关的电流即第1半导体输入电流是过电流;所述最大电流值是比所述异常电流值大且所述第1半导体开关能够允许的电流的最大电流值,将限制栅极电压作为所述设定栅极电压施加在所述第2半导体开关,其中,所述限制栅极电压将所述第1半导体输入电流的电流值设定在所述电流限制值。

另外,在上述半导体开关控制装置中,优选的是,所述第1半导体开关能够根据施加的栅极电压来调整从所述电源流向所述负载部的电流,施加有对通过电流不加以限制的栅极电压。

另外,在上述半导体开关控制装置中,优选的是,所述控制部在前第1半导体输入电流的电流值为所述异常电流值以下的情况下,使与施加在所述第1半导体开关的栅极电压同等的所述限制栅极电压施加在所述第2半导体开关,在所述第1半导体输入电流的电流值比所述异常电流值大的情况下,使所述限制栅极电压施加在所述第2半导体开关。

发明的效果

由于本发明所涉及的半导体开关控制装置将限制栅极电压施加在第2半导体开关,其中,限制栅极电压是用于将流过第1半导体开关的电流的电流值设定在比异常电流值大且比最大电流值小的电流限制值,所以在因短路等流有过电流的情况下能够抑制第1半导体开关的温度上升且适当地切断电流。

附图说明

图1是示出实施方式1所涉及的半导体开关控制装置的构成例的框图。

图2是示出实施方式1所涉及的栅极电压和漏极电流的关系的图。

图3是示出实施方式1所涉及的短路发生时的动作例的框图。

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